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STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W 28kW Transil 15V to 33V Uni

SM30T26AY
STMicroelectronics
1: S/5.55
2,197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM30T26AY

N.º de artículo de Mouser
511-SM30T26AY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W 28kW Transil 15V to 33V Uni

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2,197En existencias

Cinta cortada

S/5.55

S/4.52

S/3.21

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.09

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 6.5 V TVS in SMC

SM30T7.5CAY
STMicroelectronics
1: S/5.81
1,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM30T7.5CAY

N.º de artículo de Mouser
511-SM30T7.5CAY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 6.5 V TVS in SMC

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1,955En existencias

Cinta cortada

S/5.81

S/4.69

S/3.33

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.21

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil

SMA6J26A-TR
STMicroelectronics
1: S/2.84
4,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMA6J26A-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMA6J26A-TR

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil

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4,912En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/2.00

S/1.37

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.783

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni

SMA6T47AY
STMicroelectronics
1: S/3.05
4,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMA6T47AY

N.º de artículo de Mouser
511-SMA6T47AY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni

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4,007En existencias

Cinta cortada

S/3.05

S/1.72

S/1.36

S/1.24

Envase tipo carrete

S/1.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 8.5V Bidirect

SMAJ8.5CA-TR
STMicroelectronics
1: S/0.731
8,476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMAJ8.5CA-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMAJ8.5CA-TR

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 8.5V Bidirect

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8,476En existencias

Cinta cortada

S/0.731

S/0.615

S/0.611

Envase tipo carrete

S/0.516

S/0.507

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TRANSIL PROTECTION

SMBJ22CA-TR
STMicroelectronics
1: S/0.645
8,435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMBJ22CA-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMBJ22CA-TR

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TRANSIL PROTECTION

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8,435En existencias

Cinta cortada

S/0.645

Envase tipo carrete

S/0.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMB (DO-214AA)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 15V 0.2uA 15kV 8kV Uni

SMC30J15A
STMicroelectronics
1: S/5.16
2,229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMC30J15A

N.º de artículo de Mouser
511-SMC30J15A

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 15V 0.2uA 15kV 8kV Uni

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2,229En existencias

Cinta cortada

S/5.16

S/4.21

S/3.24

S/2.63

Envase tipo carrete

S/1.95

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 17 Amp

STD17NF03LT4
STMicroelectronics
1: S/2.45
6,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD17NF03LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD17NF03L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 17 Amp

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6,485En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.77

S/1.40

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.937

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.41
2,892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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2,892En existencias

Cinta cortada

S/6.41

S/4.05

S/2.70

S/2.12

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD8N60DM2
STMicroelectronics
1: S/7.87
1,754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

1,754En existencias

Cinta cortada

S/7.87

S/5.03

S/3.33

S/2.66

S/2.40

Envase tipo carrete

S/2.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package

STF10N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.44
1,020En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N105K5

STMicroelectronics

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1,020En existencias

1,000En pedido

S/15.44

S/7.31

S/6.54

S/5.76

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STF10NM60N
STMicroelectronics
1: S/15.27
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

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Hoja de datos

768En existencias

S/15.27

S/7.83

S/7.35

S/6.71

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed

STGB10H60DF
STMicroelectronics
1: S/10.06
1,580En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGB10H60DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGB10H60DF

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed

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Hoja de datos

1,580En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/10.06

S/6.45

S/4.43

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.19

S/2.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

STGWA50H65DFB2
STMicroelectronics
1: S/12.90
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA50H65DFB2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA50H65DFB2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

Hoja de datos

548En existencias

S/12.90

S/9.68

S/7.83

S/7.65

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

STGWT30H60DFB
STMicroelectronics
1: S/12.43
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWT30H60DFB

N.º de artículo de Mouser
511-STGWT30H60DFB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Obtenga más información

Hoja de datos

712En existencias

S/12.43

S/6.84

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-3P

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1: S/14.71
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH6N95K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH6N95K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

Hoja de datos

889En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.63

S/6.71

S/5.81

Envase tipo carrete

S/5.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/6.54
3,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,133En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.92

S/2.75

S/2.15

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

STN6N60M2
STMicroelectronics
1: S/4.30
3,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STN6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

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Hoja de datos

3,421En existencias

Cinta cortada

S/4.30

S/2.58

S/1.75

S/1.35

Ver

Envase tipo carrete

S/0.985

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

MOSFETs

SMD/SMT

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP11NK40Z
STMicroelectronics
1: S/10.92
1,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,313En existencias

S/10.92

S/3.99

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

STP11NK40ZFP
STMicroelectronics
1: S/13.55
1,232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NK40ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,232En existencias

S/13.55

S/6.79

S/6.11

S/4.99

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

STP22NM60N
STMicroelectronics
1: S/20.77
609En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

609En existencias

S/20.77

S/9.59

S/9.07

S/8.47

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STP24NM60N
STMicroelectronics
1: S/18.40
631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

631En existencias

S/18.40

S/8.08

S/7.61

S/6.92

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP33N60M6
STMicroelectronics
1: S/21.63
670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

670En existencias

S/21.63

S/14.36

S/10.23

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH

STP5NK80ZFP
STMicroelectronics
1: S/14.32
989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK80ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK80ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

989En existencias

Más información disponible

S/14.32

S/5.81

S/5.46

S/5.20

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package

STP7N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.70
897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N105K5

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

897En existencias

S/15.70

S/7.96

S/7.18

S/6.84

S/5.89

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
Diodes - General Purpose, Power, Switching
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
Case DR-91
D-PAK
D2-PAK