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STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Bi

SM6T47CAY
STMicroelectronics
1: S/2.06
3,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM6T47CAY

N.º de artículo de Mouser
511-SM6T47CAY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Bi

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Hoja de datos

3,736En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.77

S/1.21

S/1.12

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.907

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMB (DO-214AA)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil

SMA6J58A-TR
STMicroelectronics
1: S/3.01
5,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMA6J58A-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMA6J58A-TR

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil

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Hoja de datos

5,222En existencias

Cinta cortada

S/3.01

S/2.00

S/1.37

S/1.08

S/0.925

Envase tipo carrete

S/0.753

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi

SMA6T47CAY
STMicroelectronics
1: S/3.83
3,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMA6T47CAY

N.º de artículo de Mouser
511-SMA6T47CAY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi

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Hoja de datos

3,422En existencias

Cinta cortada

S/3.83

S/2.70

S/1.87

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 188V Unidirect

SMAJ188A-TR
STMicroelectronics
1: S/0.559
9,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMAJ188A-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMAJ188A

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 188V Unidirect

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Hoja de datos

9,800En existencias

Cinta cortada

S/0.559

S/0.533

Envase tipo carrete

S/0.469

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 6.5V Unidirect

SMAJ6.5A-TR
STMicroelectronics
1: S/0.645
11,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMAJ6.5A-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMAJ6.5A-TR

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 6.5V Unidirect

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Hoja de datos

11,163En existencias

Cinta cortada

S/0.645

S/0.482

Envase tipo carrete

S/0.391

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 22V 0.2uA 15kV 8kV BI

SMC30J22CA
STMicroelectronics
1: S/4.73
2,427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMC30J22CA

N.º de artículo de Mouser
511-SMC30J22CA

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 22V 0.2uA 15kV 8kV BI

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2,427En existencias

Cinta cortada

S/4.73

S/4.14

S/3.63

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 58 V TVS in SMC

SMC50J58A
STMicroelectronics
1: S/8.73
2,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMC50J58A

N.º de artículo de Mouser
511-SMC50J58A

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 58 V TVS in SMC

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Hoja de datos

2,272En existencias

Cinta cortada

S/8.73

S/5.59

S/3.76

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STB14NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.03
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

Hoja de datos

589En existencias

Cinta cortada

S/21.03

S/13.98

S/9.93

S/9.37

Envase tipo carrete

S/8.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/11.22
1,535En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB4NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB4NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,535En existencias

Cinta cortada

S/11.22

S/5.16

S/4.05

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Rectificadores Automotive 1200 V, 60 A Bridge Rectifier diode

STBR6012WY
STMicroelectronics
1: S/23.65
512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STBR6012WY

N.º de artículo de Mouser
511-STBR6012WY

STMicroelectronics

Rectificadores Automotive 1200 V, 60 A Bridge Rectifier diode

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Hoja de datos

512En existencias

S/23.65

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

Rectifiers

Through Hole

DO-247-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF12N65M2
STMicroelectronics
1: S/10.06
1,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Hoja de datos

1,048En existencias

S/10.06

S/5.29

S/4.39

S/3.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

STF13N95K3
STMicroelectronics
1: S/31.26
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

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Hoja de datos

966En existencias

S/31.26

S/15.95

S/15.18

S/14.84

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.50
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

978En existencias

S/13.50

S/6.75

S/6.11

S/4.95

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

IGBTs N-channel MOSFET

STGB10NC60KDT4
STMicroelectronics
1: S/8.56
2,372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB10NC60KDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB10NC60KDT4

STMicroelectronics

IGBTs N-channel MOSFET

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Hoja de datos

2,372En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/8.56

S/5.46

S/3.69

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.61

S/2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs PowerMESH" IGBT

STGP14NC60KD
STMicroelectronics
1: S/7.18
1,989En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGP14NC60KD

N.º de artículo de Mouser
511-STGP14NC60KD

STMicroelectronics

IGBTs PowerMESH&#34 IGBT

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Hoja de datos

1,989En existencias

1,000En pedido

S/7.18

S/3.62

S/2.90

S/2.62

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

STGWA40H65DFB2
STMicroelectronics
1: S/16.73
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA40H65DFB2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H65DFB2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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Hoja de datos

550En existencias

S/16.73

S/9.20

S/6.45

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL16N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.03
1,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Hoja de datos

1,440En existencias

Cinta cortada

S/13.03

S/8.47

S/5.85

S/4.90

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-HV-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

STL52N60DM6
STMicroelectronics
1: S/30.53
1,501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

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Hoja de datos

1,501En existencias

Cinta cortada

S/30.53

S/21.72

S/16.51

S/14.62

S/13.55

Envase tipo carrete

S/12.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.88
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

1,774En existencias

S/6.88

S/3.98

S/3.75

S/2.65

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
1: S/12.00
792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

792En existencias

S/12.00

S/6.88

S/6.24

S/5.03

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Rectificadores y diodos Schottky 20A 100V

STPS20M100ST
STMicroelectronics
1: S/13.63
722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPS20M100ST

N.º de artículo de Mouser
511-STPS20M100ST

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky 20A 100V

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Hoja de datos

722En existencias

S/13.63

S/6.88

Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers

Through Hole

TO-220-3

Rectificadores y diodos Schottky Auto pwr Schottky 5A 100V 0.61VF

STPS5H100BY-TR
STMicroelectronics
1: S/3.70
2,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPS5H100BY-TR

N.º de artículo de Mouser
511-STPS5H100BY-TR

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Auto pwr Schottky 5A 100V 0.61VF

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Hoja de datos

2,565En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.27

S/2.19

S/1.75

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

STS10P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/7.05
2,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS10P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STS10P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

Hoja de datos

2,650En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.47

S/2.99

S/2.35

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

Rectificadores High Effecientcy Rectifier

STTH10R04G-TR
STMicroelectronics
1: S/2.28
3,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STTH10R04G-TR

N.º de artículo de Mouser
511-STTH10R04G-TR

STMicroelectronics

Rectificadores High Effecientcy Rectifier

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Hoja de datos

3,482En existencias

Cinta cortada

S/2.28

S/2.13

S/2.03

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Rectifiers

SMD/SMT

D2-PAK

Rectificadores high voltage diode

STTH512B-TR
STMicroelectronics
1: S/3.31
5,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STTH512B-TR

N.º de artículo de Mouser
511-STTH512B-TR

STMicroelectronics

Rectificadores high voltage diode

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Hoja de datos

5,714En existencias

Cinta cortada

S/3.31

S/2.30

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Rectifiers

SMD/SMT

DPAK

STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
Diodes - General Purpose, Power, Switching
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
Case DR-91
D-PAK
D2-PAK