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STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 22V Unidirect

SMCJ22A-TR
STMicroelectronics
1: S/3.01
7,233En existencias

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SMCJ22A-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMCJ22A-TR

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 22V Unidirect

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S/3.01

S/2.44

S/1.68

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.01

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil Std 1500W 10kW 70V BI

SMCJ70CA-TR
STMicroelectronics
1: S/2.80
7,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMCJ70CA-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMCJ70CA-TR

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil Std 1500W 10kW 70V BI

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S/2.80

S/2.07

S/1.42

S/1.12

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.787

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.27
1,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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Cinta cortada

S/11.27

S/7.27

S/4.99

S/4.00

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/29.63
816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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816En existencias

Cinta cortada

S/29.63

S/20.77

S/15.52

Envase tipo carrete

S/13.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a

STB46N30M5
STMicroelectronics
1: S/40.51
927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB46N30M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB46N30M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a

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927En existencias

Cinta cortada

S/40.51

S/27.78

S/22.40

S/22.36

Envase tipo carrete

S/20.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: S/32.16
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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998En existencias

Cinta cortada

S/32.16

S/21.84

S/16.60

S/16.51

Envase tipo carrete

S/15.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

STD10P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.93
11,843En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD10P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

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11,843En existencias

Cinta cortada

S/5.93

S/3.71

S/2.46

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.57

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STD18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.01
1,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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Cinta cortada

S/15.01

S/9.80

S/6.84

S/5.93

Envase tipo carrete

S/5.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

STD3NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/11.44
3,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

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3,422En existencias

S/11.44

S/4.64

S/4.34

S/4.02

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STD5N95K5
STMicroelectronics
1: S/10.36
4,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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4,380En existencias

Cinta cortada

S/10.36

S/6.67

S/4.56

S/3.62

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

STF23NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.54
826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

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826En existencias

S/21.54

S/11.31

S/10.97

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

IGBTs N Ch 600V 19A

STGB19NC60HDT4
STMicroelectronics
1: S/15.39
2,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB19NC60HDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB19NC60HDT4

STMicroelectronics

IGBTs N Ch 600V 19A

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2,916En existencias

Cinta cortada

S/15.39

S/10.11

S/7.05

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

STGD6M65DF2
STMicroelectronics
1: S/6.97
3,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD6M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGD6M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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3,670En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.43

S/2.95

S/2.32

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STGWA40H120F2
STMicroelectronics
1: S/31.91
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA40H120F2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H120F2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Hoja de datos

580En existencias

S/31.91

S/18.40

S/15.27

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs 600V 65A N-Channel

STGY50NC60WD
STMicroelectronics
1: S/70.65
979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGY50NC60WD

N.º de artículo de Mouser
511-STGY50NC60WD

STMicroelectronics

IGBTs 600V 65A N-Channel

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Hoja de datos

979En existencias

S/70.65

S/43.26

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Max247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/27.99
1,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

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1,254En existencias

Cinta cortada

S/27.99

S/18.83

S/13.76

S/13.72

Envase tipo carrete

S/12.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po

STL105N8F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.09
1,873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL105N8F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL105N8F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po

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1,873En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/6.97

S/4.90

S/3.94

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N60DM2
STMicroelectronics
1: S/11.95
3,195En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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3,195En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/11.95

S/7.74

S/5.33

S/4.39

S/4.30

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

STL190N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.70
2,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL190N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL190N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

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2,190En existencias

Cinta cortada

S/11.70

S/7.48

S/5.12

S/4.24

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

STL2N80K5
STMicroelectronics
1: S/5.33
5,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

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5,413En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.75

S/2.87

S/2.37

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL47N60M6
STMicroelectronics
1: S/27.13
1,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL47N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL47N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

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1,923En existencias

Cinta cortada

S/27.13

S/18.23

S/13.20

S/13.16

S/12.69

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

STL6N3LLH6
STMicroelectronics
1: S/3.96
9,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL6N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL6N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

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9,677En existencias

Cinta cortada

S/3.96

S/2.46

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.985

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V

STL70N4LLF5
STMicroelectronics
1: S/8.34
4,451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL70N4LLF5

N.º de artículo de Mouser
511-STL70N4LLF5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V

Hoja de datos

4,451En existencias

Cinta cortada

S/8.34

S/5.33

S/3.59

S/2.85

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/6.54
3,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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Hoja de datos

3,133En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.92

S/2.75

S/2.15

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

STN6N60M2
STMicroelectronics
1: S/4.30
7,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STN6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

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Hoja de datos

7,421En existencias

Cinta cortada

S/4.30

S/2.58

S/1.75

S/1.35

Ver

Envase tipo carrete

S/0.985

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

MOSFETs

SMD/SMT

STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
Diodes - General Purpose, Power, Switching
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
Case DR-91
D-PAK
D2-PAK