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STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Rectificadores Ultrafast recovery 1200 V diode

STTH6012W
STMicroelectronics
1: S/26.32
2,449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STTH6012W

N.º de artículo de Mouser
511-STTH6012W

STMicroelectronics

Rectificadores Ultrafast recovery 1200 V diode

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Hoja de datos

2,449En existencias

S/26.32

S/15.05

S/12.56

Min.: 1
Mult.: 1

Rectifiers

Through Hole

DO-247-2

Rectificadores RECTIFIER

STTH60L06CW
STMicroelectronics
1: S/13.72
884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STTH60L06CW

N.º de artículo de Mouser
511-STTH60L06CW

STMicroelectronics

Rectificadores RECTIFIER

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Hoja de datos

884En existencias

S/13.72

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

Rectifiers

Through Hole

TO-247

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU2N105K5
STMicroelectronics
1: S/9.16
5,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

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Hoja de datos

5,723En existencias

S/9.16

S/4.21

S/3.80

S/3.45

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STU7N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.26
2,974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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Hoja de datos

2,974En existencias

S/8.26

S/3.10

S/2.79

S/2.45

S/2.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW40N95DK5
STMicroelectronics
1: S/65.70
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos

692En existencias

S/65.70

S/40.25

S/39.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

STW7N95K3
STMicroelectronics
1: S/29.80
574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STW7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

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Hoja de datos

574En existencias

S/29.80

S/16.68

S/13.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA75N60M6
STMicroelectronics
1: S/44.68
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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Hoja de datos

492En existencias

S/44.68

S/26.92

S/24.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

STY105NM50N
STMicroelectronics
1: S/107.93
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY105NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STY105NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

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Hoja de datos

186En existencias

S/107.93

S/74.18

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Max247-3

Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

STPSC16G065D
STMicroelectronics
1: S/18.49
1,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STPSC16G065D

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC16G065D

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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Hoja de datos

1,000En existencias

S/18.49

S/12.38

S/9.50

S/8.47

S/7.48

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 16A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

STPSC16G065DY
STMicroelectronics
1: S/20.21
999En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STPSC16G065DY

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC16G065DY

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 16A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

Obtenga más información

Hoja de datos

999En existencias

S/20.21

S/13.37

S/10.45

S/9.29

S/8.21

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

STPSC20G065DY
STMicroelectronics
1: S/27.09
1,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STPSC20G065DY

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC20G065DY

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000En existencias

S/27.09

S/18.66

S/14.88

S/14.58

S/11.18

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Through Hole

TO-220AC-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel

STB36NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/9.12
1,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB36NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB36NF06LT4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel

Hoja de datos

1,248En existencias

Cinta cortada

S/9.12

S/5.85

S/3.94

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STP80NF55-06
STMicroelectronics
1: S/11.95
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF55-06

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF55-06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,478En existencias

S/11.95

S/5.93

S/5.42

S/4.52

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STP11NM60FDFP
STMicroelectronics
1: S/17.07
537En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60FDFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60FDFP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

Hoja de datos

537En existencias

S/17.07

S/12.51

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/86.34
5En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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Hoja de datos

5En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/86.34

S/71.04

S/61.45

Envase tipo carrete

S/54.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni

SMA6T30AY
STMicroelectronics
1: S/4.90
2,201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMA6T30AY

N.º de artículo de Mouser
511-SMA6T30AY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni

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Hoja de datos

2,201En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.95

S/3.07

S/2.53

Ver

Envase tipo carrete

S/1.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/8.60
2,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52DN4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL52DN4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

2,805En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/4.82

S/3.93

S/3.65

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 6V 0.2uA 15kV 8kV BI

SMC30J6.0CA
STMicroelectronics
1: S/5.76
2,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMC30J6.0CA

N.º de artículo de Mouser
511-SMC30J6.0CA

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 6V 0.2uA 15kV 8kV BI

Obtenga más información

Hoja de datos

2,439En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/4.69

S/3.63

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

STGP8M120DF3
STMicroelectronics
1: S/22.75
178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP8M120DF3

N.º de artículo de Mouser
511-STGP8M120DF3

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

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Hoja de datos

178En existencias

Más información disponible

S/22.75

S/15.14

S/12.26

S/10.88

S/9.63

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL45P3LLH6
STMicroelectronics
1: S/8.30
2,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL45P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL45P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Hoja de datos

2,872En existencias

Cinta cortada

S/8.30

S/5.20

S/3.42

S/2.71

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.21
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

251En existencias

Más información disponible

S/12.21

S/7.87

S/5.63

S/4.64

S/4.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Triacs Sensitive 10 A High Temperature

T1010H-6T
STMicroelectronics
1: S/6.92
878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
T1010H-6T

N.º de artículo de Mouser
511-T1010H-6T

STMicroelectronics

Triacs Sensitive 10 A High Temperature

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Hoja de datos

878En existencias

S/6.92

S/4.39

S/2.89

S/2.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Triacs

Through Hole

TO-220-3

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 600 W, 14.1 V TVS in SMB

SM6T16V5CAY
STMicroelectronics
1: S/1.20
2,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM6T16V5CAY

N.º de artículo de Mouser
511-SM6T16V5CAY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 600 W, 14.1 V TVS in SMB

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Hoja de datos

2,689En existencias

Cinta cortada

S/1.20

S/1.06

S/1.04

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.778

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMB (DO-214AA)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/14.53
204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB12N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

Hoja de datos

204En existencias

Cinta cortada

S/14.53

S/9.46

S/7.27

S/6.06

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STGB40V60F
STMicroelectronics
1: S/15.95
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB40V60F

N.º de artículo de Mouser
511-STGB40V60F

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

Obtenga más información

Hoja de datos

74En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/15.95

S/10.41

S/7.14

S/6.28

Envase tipo carrete

S/5.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK

STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
Diodes - General Purpose, Power, Switching
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
Case DR-91
D-PAK
D2-PAK