.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 109

Filtros aplicados:

Fabricante = Advanced Linear Devices

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804SCL
Advanced Linear Devices
50: S/26.96
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210804SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/26.96

S/22.45

S/20.00

S/18.71

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808APCL
Advanced Linear Devices
50: S/39.13
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/39.13

S/32.59

S/29.03

S/27.18

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/35.30
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/35.30

S/29.41

S/26.23

S/24.51

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808SCL
Advanced Linear Devices
50: S/27.18
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/27.18

S/21.97

S/19.52

S/17.29

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814PCL
Advanced Linear Devices
50: S/29.84
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210814PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/29.84

S/24.85

S/22.15

S/20.73

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814SCL
Advanced Linear Devices
50: S/26.96
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210814SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/26.96

S/22.45

S/20.00

S/18.71

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902SAL
Advanced Linear Devices
50: S/26.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212902SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212902SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/26.27

S/21.24

S/18.88

S/16.73

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904PAL
Advanced Linear Devices
50: S/28.04
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212904PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/28.04

S/23.39

S/20.81

S/19.48

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
50: S/26.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212904SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/26.27

S/21.24

S/18.88

S/16.73

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908APAL
Advanced Linear Devices
50: S/42.48
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/42.48

S/35.43

S/31.56

S/29.50

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908ASAL
Advanced Linear Devices
50: S/36.51
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908ASAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908ASAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/36.51

S/30.40

S/27.09

S/25.33

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908PAL
Advanced Linear Devices
50: S/28.04
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/28.04

S/23.39

S/20.81

S/19.48

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914PAL
Advanced Linear Devices
50: S/36.46
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212914PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212914PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/36.46

S/30.40

S/27.09

S/25.33

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700APCL
Advanced Linear Devices
50: S/43.69
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Hoja de datos

No en existencias

S/43.69

S/36.38

S/32.42

S/30.32

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/42.91
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/42.91

S/35.78

S/31.86

S/29.80

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700PCL
Advanced Linear Devices
50: S/36.94
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/36.94

S/30.79

S/27.43

S/25.63

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702APCL
Advanced Linear Devices
50: S/52.76
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/52.76

S/43.95

S/39.17

S/36.64

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702PCL
Advanced Linear Devices
50: S/36.94
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/36.94

S/30.79

S/27.43

S/25.63

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702SCL
Advanced Linear Devices
50: S/32.81
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/32.81

S/27.35

S/24.34

S/22.79

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704APCL
Advanced Linear Devices
50: S/52.76
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/52.76

S/43.95

S/39.17

S/36.64

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/42.91
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/42.91

S/35.78

S/31.86

S/29.80

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704PCL
Advanced Linear Devices
50: S/44.59
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/44.59

S/37.15

S/33.11

S/30.96

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704SCL
Advanced Linear Devices
50: S/32.81
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/32.81

S/27.35

S/24.34

S/22.79

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708APCL
Advanced Linear Devices
50: S/52.76
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310708APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310708APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/52.76

S/43.95

S/39.17

S/36.64

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/42.91
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310708ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310708ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/42.91

S/35.78

S/31.86

S/29.80

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
400 mV
420 mV
780 mV
820 mV
1.4 V
1.62 V
1.72 V
1.82 V
1.92 V
2.02 V
2.12 V
2.22 V
2.28 V
2.32 V
2.42 V
2.52 V