.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 109

Filtros aplicados:

Fabricante = Advanced Linear Devices

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800ASCL
Advanced Linear Devices
1: S/48.55
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

22En existencias

S/48.55

S/35.30

S/29.41

S/26.23

S/24.51

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

ALD1103SBL
Advanced Linear Devices
1: S/51.43
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1103SBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1103SBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

Hoja de datos

45En existencias

S/51.43

S/39.00

S/32.51

S/28.94

S/27.09

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-14

N-Channel, P-Channel

4 Channel

12 V

16 mA, 40 mA

50 Ohms, 180 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908SAL
Advanced Linear Devices
1: S/32.81
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

18En existencias

S/32.81

S/26.27

S/21.24

S/18.88

S/16.73

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914SAL
Advanced Linear Devices
1: S/43.04
32En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212914SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212914SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

32En existencias

S/43.04

S/31.30

S/26.10

S/23.26

S/21.76

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V

ALD810020SCL
Advanced Linear Devices
1: S/35.35
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810020SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810020SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

S/35.35

S/23.52

S/19.01

S/16.90

S/14.96

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.02 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V

ALD810021SCL
Advanced Linear Devices
1: S/35.35
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810021SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810021SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V

Obtenga más información

Hoja de datos

4En existencias

S/35.35

S/23.52

S/19.01

S/16.90

S/14.96

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.12 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

ALD910017SAL
Advanced Linear Devices
1: S/31.48
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910017SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910017SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

Obtenga más información

Hoja de datos

47En existencias

S/31.48

S/20.90

S/16.90

S/15.05

S/13.33

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

1.72 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

ALD910017SALI
Advanced Linear Devices
1: S/31.30
176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910017SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910017SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

Obtenga más información

Hoja de datos

176En existencias

S/31.30

S/25.07

S/20.30

S/18.02

S/15.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

1.72 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V

ALD810023SCL
Advanced Linear Devices
1: S/35.35

N.º de artículo del Fabricante
ALD810023SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810023SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

S/35.35

S/23.52

S/19.01

S/16.90

S/14.96

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.32 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V

ALD810027SCL
Advanced Linear Devices
1: S/33.67

N.º de artículo del Fabricante
ALD810027SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810027SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

S/33.67

S/26.96

S/21.80

S/19.39

S/17.16

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

23 Ohms

- 12 V, 12 V

2.72 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V

ALD910024SAL
Advanced Linear Devices
1: S/31.48

N.º de artículo del Fabricante
ALD910024SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910024SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

S/31.48

S/20.90

S/16.90

S/15.05

S/13.33

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.42 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V

ALD810019SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/35.69
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD810019SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810019SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/35.69

S/28.55

S/23.09

S/20.51

S/18.19

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

- 12 V, 12 V

1.92 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V

ALD810024SCL
Advanced Linear Devices
1: S/35.35
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD810024SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810024SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas

S/35.35

S/23.52

S/19.01

S/16.90

S/14.96

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.42 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V

ALD810027SCLI
Advanced Linear Devices
50: S/27.52
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD810027SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810027SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/27.52

S/22.92

S/20.43

S/19.09

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

- 12 V, 12 V

2.72 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD910022SAL
Advanced Linear Devices
50: S/20.90
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910022SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910022SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

S/20.90

S/16.90

S/15.05

S/13.33

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V

ALD910023SAL
Advanced Linear Devices
50: S/20.90
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910023SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910023SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/20.90

S/16.90

S/15.05

S/13.33

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.28 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V

ALD910025SAL
Advanced Linear Devices
1: S/31.48
Plazo de entrega no en existencias 1 semana

N.º de artículo del Fabricante
ALD910025SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910025SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 1 semana

S/31.48

S/20.90

S/16.90

S/15.05

S/13.33

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V

ALD910026SAL
Advanced Linear Devices
1: S/34.70
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910026SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910026SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

S/34.70

S/23.09

S/18.66

S/16.60

S/14.71

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.62 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V

ALD910028SAL
Advanced Linear Devices
50: S/23.09
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910028SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910028SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

S/23.09

S/18.66

S/16.60

S/14.71

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.82 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800APCL
Advanced Linear Devices
50: S/39.13
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

No en existencias

S/39.13

S/32.59

S/29.03

S/27.18

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800PCL
Advanced Linear Devices
50: S/32.55
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

No en existencias

S/32.55

S/27.13

S/24.17

S/22.62

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800SCL
Advanced Linear Devices
50: S/29.37
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

No en existencias

S/29.37

S/24.47

S/21.80

S/20.43

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802PCL
Advanced Linear Devices
50: S/29.84
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210802PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210802PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/29.84

S/24.85

S/22.15

S/20.73

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

220 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802SCL
Advanced Linear Devices
50: S/26.96
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210802SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210802SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/26.96

S/22.45

S/20.00

S/18.71

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

220 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804PCL
Advanced Linear Devices
50: S/29.84
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210804PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/29.84

S/24.85

S/22.15

S/20.73

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
400 mV
420 mV
780 mV
820 mV
1.4 V
1.62 V
1.72 V
1.82 V
1.92 V
2.02 V
2.12 V
2.22 V
2.28 V
2.32 V
2.42 V
2.52 V