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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 109

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Fabricante = Advanced Linear Devices

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V

ALD910027SALI
Advanced Linear Devices
1: S/34.14
3,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910027SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910027SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V

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Hoja de datos

3,584En existencias

S/34.14

S/20.90

S/20.25

S/20.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.72 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702ASCL
Advanced Linear Devices
1: S/54.91
53En existencias
50En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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53En existencias

50En pedido

S/54.91

S/42.96

S/35.78

S/31.86

S/29.80

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V

ALD810026SCL
Advanced Linear Devices
1: S/33.67
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810026SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810026SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V

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18En existencias

S/33.67

S/26.96

S/21.80

S/19.39

S/17.16

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.62 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD910022SALI
Advanced Linear Devices
1: S/31.30
39En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910022SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910022SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

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39En existencias

Más información disponible

S/31.30

S/25.07

S/20.30

S/18.02

S/15.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

ALD910025SALI
Advanced Linear Devices
1: S/31.30
307En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910025SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910025SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

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307En existencias

S/31.30

S/25.07

S/20.30

S/18.02

S/15.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V

ALD910027SAL
Advanced Linear Devices
1: S/30.10
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910027SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910027SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V

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50En existencias

S/30.10

S/16.04

S/16.00

S/15.91

S/14.62

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.72 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

ALD110900PAL
Advanced Linear Devices
1: S/35.22
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD110900PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD110900PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos

45En existencias

S/35.22

S/28.17

S/22.75

S/20.21

S/17.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

12 mA

500 Ohms, 500 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900SAL
Advanced Linear Devices
1: S/32.81
40En existencias
50En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

40En existencias

50En pedido

S/32.81

S/26.27

S/21.24

S/18.88

S/16.73

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY

ALD810030SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/42.96
20En existencias
50En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ALD810030SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810030SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY

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Hoja de datos

20En existencias

50En pedido

Cinta cortada

S/42.96

S/30.32

Envase tipo carrete

S/30.32

S/25.24

S/22.49

S/21.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

SMD/SMT

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

3 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Depletion

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808PCL
Advanced Linear Devices
1: S/39.09
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

26En existencias

S/39.09

S/27.56

S/22.96

S/20.47

S/19.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700SCL
Advanced Linear Devices
1: S/40.03
46En existencias
76En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

46En existencias

76En pedido

S/40.03

S/26.57

S/22.10

S/22.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900ASAL
Advanced Linear Devices
1: S/41.07
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900ASAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900ASAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

36En existencias

S/41.07

S/28.98

S/24.17

S/21.50

S/20.12

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902PAL
Advanced Linear Devices
1: S/39.73
37En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212902PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212902PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

37En existencias

S/39.73

S/28.04

S/23.39

S/20.81

S/19.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

ALD810017SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/35.73
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810017SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810017SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

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Hoja de datos

34En existencias

S/35.73

S/28.60

S/23.09

S/20.51

S/18.19

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

1.72 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900APAL
Advanced Linear Devices
1: S/46.40
16En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

16En existencias

S/46.40

S/33.76

S/28.12

S/25.07

S/23.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

ALD810025SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/35.69
1,369En existencias
778En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ALD810025SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810025SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

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Hoja de datos

1,369En existencias

778En pedido

S/35.69

S/28.55

S/23.09

S/20.51

S/18.19

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

ALD1103PBL
Advanced Linear Devices
1: S/51.47
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1103PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1103PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

Hoja de datos

50En existencias

S/51.47

S/39.04

S/32.51

S/28.94

S/27.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

N-Channel, P-Channel

4 Channel

12 V

16 mA, 40 mA

50 Ohms, 180 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

ALD1105PBL
Advanced Linear Devices
1: S/34.66
177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1105PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1105PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

Hoja de datos

177En existencias

S/34.66

S/27.74

S/22.45

S/19.95

S/17.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

N-Channel, P-Channel

4 Channel

12 V

2 mA, 4.8 mA

350 Ohms, 1.2 kOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array

ALD1106PBL
Advanced Linear Devices
1: S/34.10
135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1106PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1106PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array

Hoja de datos

135En existencias

S/34.10

S/20.34

S/17.80

S/16.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

N-Channel

4 Channel

12 V

4.8 mA

350 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array

ALD1107PBL
Advanced Linear Devices
1: S/34.66
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1107PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1107PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array

Hoja de datos

93En existencias

S/34.66

S/27.74

S/22.45

S/19.95

S/17.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

P-Channel

4 Channel

12 V

2 mA

1.2 kOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

ALD110900APAL
Advanced Linear Devices
1: S/48.12
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD110900APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD110900APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos

55En existencias

S/48.12

S/36.46

S/30.36

S/27.05

S/25.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

12 mA

500 Ohms, 500 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900PAL
Advanced Linear Devices
1: S/36.68
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

36En existencias

S/36.68

S/20.17

S/18.49

S/17.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V

ALD810025SCL
Advanced Linear Devices
1: S/35.35
49En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810025SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810025SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V

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Hoja de datos

49En existencias

S/35.35

S/23.52

S/19.01

S/16.90

S/14.96

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch

ALD110800APCL
Advanced Linear Devices
1: S/51.90
15En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD110800APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD110800APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos

15En existencias

S/51.90

S/40.64

S/33.80

S/30.14

S/28.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10 V

12 mA

500 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD810022SCL
Advanced Linear Devices
1: S/35.35
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810022SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810022SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

Obtenga más información

Hoja de datos

23En existencias

S/35.35

S/23.52

S/19.01

S/16.90

S/14.96

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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180 mV
220 mV
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420 mV
780 mV
820 mV
1.4 V
1.62 V
1.72 V
1.82 V
1.92 V
2.02 V
2.12 V
2.22 V
2.28 V
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2.52 V