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RQ7G080BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7G080BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7G080BGTCR
Price: 5.33 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ7G080BGTCR

Fabricante N.º:

RQ7G080BGTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 N-CH 40V 8A

Hoja de datos:

RQ7G080BGTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/ -.--

Precio ext.:

S/ -.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 5.33	S/ 5.33
	S/ 3.19	S/ 31.90
	S/ 2.37	S/ 237.00
	S/ 1.95	S/ 975.00
	S/ 1.77	S/ 1,770.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/ 1.56	S/ 4,680.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	10.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	4.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.5 ns
Alias de las piezas n.º:	RQ7G080BG

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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