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CoolMOS Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/25.59
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IPB65R095C7ATMA2

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726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/25.59

S/17.16

S/12.34

S/12.17

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S/11.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.53
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

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S/30.53

S/19.95

S/14.88

S/13.59

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S/12.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.19
2,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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2,513En existencias

Cinta cortada

S/14.19

S/9.25

S/6.45

S/5.42

Envase tipo carrete

S/4.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.39
8,868En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

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726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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8,868En existencias

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S/8.39

S/5.38

S/3.59

S/2.84

S/2.61

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S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.84
3,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R380CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.84

S/4.34

S/2.88

S/2.26

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.77

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
3,816En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/13.12

S/8.56

S/6.41

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S/4.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: S/13.12
2,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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S/13.12

S/8.51

S/5.93

S/4.82

S/4.43

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S/4.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.64
4,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/12.64

S/8.21

S/5.63

S/4.69

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S/4.19

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.58
12,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/2.58

S/1.62

S/1.08

S/0.916

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.56
8,191En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/4.56

S/2.83

S/1.87

S/1.47

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/42.96
364En existencias
500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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364En existencias

500En pedido

S/42.96

S/23.95

S/23.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.12
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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589En existencias

S/32.12

S/25.71

S/21.20

S/18.02

S/16.38

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
7,737En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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7,737En existencias

1,500En pedido

S/13.16

S/6.75

S/6.11

S/4.99

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.51
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R045C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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284En existencias

S/40.51

S/23.56

S/23.39

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/42.31
411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

411En existencias

S/42.31

S/25.07

S/23.05

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

IPW60R045CPA
Infineon Technologies
1: S/70.18
344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

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Hoja de datos

344En existencias

S/70.18

S/44.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.30
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R045CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/39.30

S/27.74

S/23.09

S/20.60

Envase tipo carrete

S/19.26

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPAN60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.84
407En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180CM8XKS

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

407En existencias

S/10.84

S/5.33

S/4.82

S/4.09

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/6.02
1,827En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600CM8XTMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1,827En existencias

Cinta cortada

S/6.02

S/3.78

S/2.50

S/1.95

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ60R022S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/55.56
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R022S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R022S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

580En existencias

Cinta cortada

S/55.56

S/43.43

S/36.21

S/32.25

Envase tipo carrete

S/30.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

IPDQ60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/33.15
300En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R037CM8XTM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

S/33.15

S/26.53

S/21.46

S/19.09

Envase tipo carrete

S/16.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ60R040S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/38.92
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R040S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R040S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

487En existencias

Cinta cortada

S/38.92

S/27.43

S/22.88

S/20.38

Envase tipo carrete

S/19.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/107.33
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R010S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R010S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

422En existencias

Cinta cortada

S/107.33

S/80.15

S/69.32

Envase tipo carrete

S/69.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/63.34
699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R017S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

699En existencias

Cinta cortada

S/63.34

S/51.56

S/42.96

S/38.27

Envase tipo carrete

S/35.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.99
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R040S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

739En existencias

Cinta cortada

S/35.99

S/28.81

S/23.31

S/20.73

Envase tipo carrete

S/18.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

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