Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
STI20N65M5
STMicroelectronics
1:
S/16.56
958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STI20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
958 En existencias
1
S/16.56
10
S/8.08
100
S/6.58
500
S/6.15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
STL13N60M6
STMicroelectronics
1:
S/11.22
2,794 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
2,794 En existencias
1
S/11.22
10
S/7.18
100
S/4.90
500
S/3.98
1,000
S/3.59
3,000
S/3.53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
STL36N55M5
STMicroelectronics
1:
S/26.57
2,982 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL36N55M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
2,982 En existencias
1
S/26.57
10
S/18.45
100
S/13.37
1,000
S/13.12
3,000
S/12.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
STU10NM60N
STMicroelectronics
1:
S/17.24
2,998 En existencias
2,998 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STU10NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
2,998 En existencias
2,998 En pedido
1
S/17.24
10
S/11.27
100
S/8.82
500
S/7.40
1,000
Ver
1,000
S/6.84
3,000
S/6.41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/12.30
808 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
808 En existencias
1
S/12.30
10
S/5.72
100
S/5.20
500
S/4.43
1,000
S/4.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW8N90K5
STMicroelectronics
1:
S/18.71
659 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW8N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
659 En existencias
1
S/18.71
10
S/10.45
100
S/7.57
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
STY50N105DK5
STMicroelectronics
1:
S/100.19
406 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STY50N105DK5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
406 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
STB23NM50N
STMicroelectronics
1:
S/20.77
476 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
476 En existencias
1
S/20.77
10
S/16.21
100
S/11.61
500
S/11.31
1,000
S/10.58
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD10N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/8.43
2,122 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
2,122 En existencias
1
S/8.43
10
S/5.42
100
S/3.63
500
S/2.88
1,000
S/2.64
2,500
S/2.52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
STD5N62K3
STMicroelectronics
1:
S/7.61
1,691 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
1,691 En existencias
1
S/7.61
10
S/4.86
100
S/3.25
500
S/2.57
1,000
S/2.35
2,500
S/2.15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/15.31
707 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
707 En existencias
1
S/15.31
10
S/7.74
100
S/7.01
500
S/5.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STF7N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.35
1,929 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1,929 En existencias
1
S/7.35
10
S/3.51
100
S/3.13
500
S/2.47
1,000
Ver
1,000
S/2.26
2,000
S/2.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
STF7NM60N
STMicroelectronics
1:
S/10.71
571 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
571 En existencias
1
S/10.71
10
S/6.11
100
S/5.93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
STF9NM60N
STMicroelectronics
1:
S/11.48
1,612 En existencias
1,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STF9NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
1,612 En existencias
1,000 En pedido
1
S/11.48
10
S/5.03
100
S/4.47
500
S/3.92
1,000
Ver
1,000
S/3.65
2,000
S/3.52
5,000
S/3.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N60M6
STMicroelectronics
1:
S/10.15
1,767 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1,767 En existencias
1
S/10.15
10
S/6.54
100
S/4.47
500
S/3.59
1,000
S/3.29
3,000
S/3.23
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
STP24N60M2
STMicroelectronics
1:
S/14.92
1,036 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
1,036 En existencias
1
S/14.92
10
S/6.41
100
S/6.02
500
S/5.50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
STP2N80K5
STMicroelectronics
1:
S/4.64
2,819 En existencias
2,000 Se espera el 27/04/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STP2N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
2,819 En existencias
2,000 Se espera el 27/04/2026
1
S/4.64
10
S/2.73
100
S/2.55
500
S/2.27
1,000
Ver
1,000
S/2.18
2,000
S/1.96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
STP38N65M5
STMicroelectronics
1:
S/13.72
450 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
450 En existencias
1
S/13.72
10
S/11.57
100
S/11.52
500
S/11.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
+1 imagen
STW15N80K5
STMicroelectronics
1:
S/21.50
415 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW15N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
415 En existencias
1
S/21.50
10
S/12.51
100
S/10.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
+1 imagen
STW33N60M2
STMicroelectronics
1:
S/23.74
394 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
394 En existencias
1
S/23.74
10
S/13.98
100
S/10.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
STB14NM50N
STMicroelectronics
1:
S/21.03
589 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
589 En existencias
1
S/21.03
10
S/13.98
100
S/9.93
500
S/9.37
1,000
S/8.77
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF12N65M2
STMicroelectronics
1:
S/10.06
1,048 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,048 En existencias
1
S/10.06
10
S/5.29
100
S/4.39
500
S/3.65
1,000
Ver
1,000
S/3.23
5,000
S/3.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU18N65M2
STMicroelectronics
1:
S/13.50
978 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU18N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
978 En existencias
1
S/13.50
10
S/6.75
100
S/6.11
500
S/4.95
1,000
S/4.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/13.03
1,440 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1,440 En existencias
1
S/13.03
10
S/8.47
100
S/5.85
500
S/4.90
1,000
S/4.86
3,000
S/4.47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
STL52N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/30.53
1,501 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
1,501 En existencias
1
S/30.53
10
S/21.72
100
S/16.51
500
S/14.62
1,000
S/13.55
3,000
S/12.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles