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CoolMOS Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.46
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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739En existencias

Cinta cortada

S/29.46

S/19.31

S/14.19

S/12.64

Envase tipo carrete

S/11.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
4,025En existencias
5,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,025En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/6.97

S/4.43

S/2.94

S/2.30

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R190C6
Infineon Technologies
1: S/15.44
4,419En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6

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4,419En existencias

S/15.44

S/10.06

S/7.87

S/6.58

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R041C6
Infineon Technologies
1: S/60.24
647En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

647En existencias

S/60.24

S/44.98

S/38.92

S/36.81

S/34.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R075CP
Infineon Technologies
1: S/43.04
271En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R075CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

271En existencias

S/43.04

S/33.67

S/28.08

S/24.98

S/23.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA17N80C3
Infineon Technologies
1: S/21.03
2,289En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

2,289En existencias

S/21.03

S/13.93

S/11.31

S/9.55

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.27
3,468En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD08N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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3,468En existencias

Cinta cortada

S/11.27

S/7.27

S/4.95

S/3.96

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.05
2,040En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

2,040En existencias

S/15.05

S/7.61

S/6.88

S/5.81

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.81
85,436En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R360P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

85,436En existencias

Cinta cortada

S/5.81

S/3.65

S/2.41

S/1.88

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.38
14,435En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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14,435En existencias

4,000En pedido

S/20.38

S/10.58

S/9.63

S/8.77

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.73
3,978En existencias
3,998En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,998En pedido

Cinta cortada

S/39.73

S/27.22

S/21.24

S/21.03

S/20.64

Envase tipo carrete

S/19.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/76.93
1,547En existencias
950En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,547En existencias

950En pedido

S/76.93

S/50.05

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/9.63
1,245En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180CM8XTMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,245En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/9.63

S/6.06

S/4.34

S/3.66

S/3.50

Envase tipo carrete

S/3.21

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ60R017S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.36
319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R017S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R017S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

319En existencias

Cinta cortada

S/65.36

S/53.23

S/44.33

S/39.52

Envase tipo carrete

S/36.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.44
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R040CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

76En existencias

Cinta cortada

S/42.44

S/29.93

S/24.94

S/22.23

Envase tipo carrete

S/20.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.84
346En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

346En existencias

Más información disponible

S/10.84

S/5.33

S/4.82

S/3.85

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.15
2,836En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

2,836En existencias

Cinta cortada

S/10.15

S/6.54

S/4.47

S/3.56

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.38
2,323En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,323En existencias

1,500En pedido

S/20.38

S/10.58

S/9.63

S/8.77

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.45
1,057En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,057En existencias

Cinta cortada

S/33.45

S/22.79

S/17.24

S/16.81

Envase tipo carrete

S/15.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.81
1,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,684En existencias

Cinta cortada

S/24.81

S/16.08

S/12.00

S/11.14

Envase tipo carrete

S/10.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.42
1,573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,573En existencias

Cinta cortada

S/24.42

S/15.91

S/12.47

S/10.45

Envase tipo carrete

S/9.68

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.81
6,345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

6,345En existencias

Cinta cortada

S/16.81

S/11.01

S/7.74

S/6.75

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.20
4,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

4,037En existencias

Cinta cortada

S/17.20

S/11.27

S/7.91

S/7.10

Envase tipo carrete

S/6.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.41
6,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

6,898En existencias

Cinta cortada

S/10.41

S/6.71

S/4.60

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.91
702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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702En existencias

Cinta cortada

S/35.91

S/28.77

S/23.26

S/21.29

Envase tipo carrete

S/18.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

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