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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/15.91
645En existencias

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STF10LN80K5

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511-STF10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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S/15.91

S/8.13

S/7.35

S/6.32

S/5.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.74
538En existencias

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STF35N60DM2

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511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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S/23.74

S/13.12

S/12.00

S/10.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STF6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.00
1,724En existencias

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STF6N60M2

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511-STF6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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S/8.00

S/4.08

S/3.65

S/2.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

STF6N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.04
983En existencias

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STF6N90K5

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511-STF6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

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S/12.04

S/5.98

S/4.69

S/4.12

S/4.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU10N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.21
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU10N80K5

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511-STFU10N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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S/16.21

S/10.58

S/8.30

S/6.97

S/6.02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

STL38N65M5
STMicroelectronics
1: S/27.31
2,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL38N65M5

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511-STL38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

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S/27.31

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S/14.28

S/14.23

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S/13.33

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/31.26
2,682En existencias

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STL45N60DM6

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511-STL45N60DM6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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S/21.24

S/16.04

S/15.95

S/14.84

Envase tipo carrete

S/14.84

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

STQ2LN60K3-AP
STMicroelectronics
1: S/3.87
3,913En existencias
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STQ2LN60K3-AP

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511-STQ2LN60K3AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

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S/3.87

S/2.40

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.907

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: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW13N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.29
503En existencias

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STW13N80K5

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511-STW13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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503En existencias

S/21.29

S/11.27

S/9.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

STB34NM60N
STMicroelectronics
1: S/45.37
970En existencias

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STB34NM60N

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511-STB34NM60N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

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S/45.37

S/31.65

S/26.32

S/26.27

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S/24.60

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

STD5N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.04
1,401En existencias

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STD5N52K3

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511-STD5N52K3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

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S/8.04

S/5.12

S/3.45

S/2.73

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF11NM50N
STMicroelectronics
1: S/8.00
808En existencias

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STF11NM50N

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511-STF11NM50N

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S/6.49

S/6.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF12N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.30
2,071En existencias

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STF12N60M2

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511-STF12N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/8.30

S/3.99

S/3.55

S/2.83

S/2.31

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/14.06
1,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60DM2

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511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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S/14.06

S/7.65

S/6.75

S/5.93

S/5.25

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STF28N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.74
782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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782En existencias

S/15.74

S/7.70

S/7.05

S/6.32

S/6.06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STF9N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.51
1,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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1,816En existencias

S/8.51

S/3.83

S/3.01

S/2.66

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/21.37
1,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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1,617En existencias

Cinta cortada

S/21.37

S/20.43

S/16.00

S/14.23

S/12.17

Envase tipo carrete

S/8.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

STP19NM50N
STMicroelectronics
1: S/15.82
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

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644En existencias

S/15.82

S/10.02

S/9.46

S/8.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

STP31N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.75
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

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739En existencias

S/18.75

S/8.82

S/8.34

S/7.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

STW18N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.40
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

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687En existencias

S/18.40

S/9.42

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.45
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

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1,075En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: S/7.48
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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2,222En existencias

Cinta cortada

S/7.48

S/4.07

S/2.99

S/2.54

S/2.31

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.56
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

2,265En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.46

S/3.71

S/3.14

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.66
981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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981En existencias

S/14.66

S/7.40

S/6.67

S/5.42

S/5.38

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

STFH24N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.37
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFH24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFH24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

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918En existencias

S/9.37

S/6.02

S/5.46

S/4.99

S/4.56

Min.: 1
Mult.: 1

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