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CoolMOS Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R055CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.80
200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R055CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R055CM8XKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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200En existencias

S/33.80

S/22.49

S/18.19

S/16.17

S/14.32

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R070CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.92
340En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R070CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R070CM8XKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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340En existencias

S/30.92

S/20.25

S/14.92

S/13.20

S/11.74

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R099CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.75
176En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R099CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099CM8XKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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176En existencias

S/22.75

S/10.15

S/9.16

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R025CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.28
163En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R025CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R025CM8XKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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163En existencias

S/49.28

S/29.58

S/28.17

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.89
748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R075CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/29.89

S/19.87

S/16.08

S/14.28

Envase tipo carrete

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/13.03
1,635En existencias
1,689En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R180CM8XTM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,635En existencias

1,689En pedido

Cinta cortada

S/13.03

S/8.43

S/5.81

S/4.69

Envase tipo carrete

S/3.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

IPDQ60R016CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/77.36
693En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R016CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R016CM8XTM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

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S/77.36

S/63.00

S/52.46

S/46.78

Envase tipo carrete

S/43.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/63.34
603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R017S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/63.34

S/51.56

S/42.96

S/38.27

Envase tipo carrete

S/35.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60T017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.88
210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60T017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60T017S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/65.88

S/53.66

S/44.72

S/39.86

Envase tipo carrete

S/37.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/56.55
604En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60T022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60T022S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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604En existencias

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S/56.55

S/44.20

S/36.85

S/32.85

Envase tipo carrete

S/30.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R017CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/80.80
552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R017CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R017CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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552En existencias

Cinta cortada

S/80.80

S/65.79

S/54.83

S/48.85

Envase tipo carrete

S/45.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R029CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/52.33
759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R029CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R029CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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759En existencias

Cinta cortada

S/52.33

S/40.94

S/34.10

S/30.40

Envase tipo carrete

S/28.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R060CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.09
731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R060CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R060CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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731En existencias

Cinta cortada

S/35.09

S/23.31

S/18.88

S/16.77

Envase tipo carrete

S/14.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.52
715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R125CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

715En existencias

Cinta cortada

S/23.52

S/15.35

S/12.04

S/10.06

Envase tipo carrete

S/9.33

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.25
851En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R037CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R037CM8XKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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851En existencias

Más información disponible

S/32.25

S/21.46

S/17.72

S/15.01

S/13.63

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPQC60R010S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/103.67
825En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R010S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R010S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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825En existencias

Cinta cortada

S/103.67

S/82.99

S/71.77

Envase tipo carrete

S/71.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPQC60R017S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.36
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R017S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R017S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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257En existencias

Cinta cortada

S/65.36

S/53.23

S/44.33

S/39.52

Envase tipo carrete

S/36.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60T017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.83
750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60T017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T017S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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750En existencias

Cinta cortada

S/65.83

S/53.62

S/44.68

S/39.82

Envase tipo carrete

S/37.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.65
2,659En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R037CM8XTMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

2,659En existencias

Cinta cortada

S/39.65

S/27.99

S/23.31

S/21.29

Envase tipo carrete

S/19.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/50.57
952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T022S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

952En existencias

Cinta cortada

S/50.57

S/38.31

S/31.95

S/28.47

S/26.62

Envase tipo carrete

S/26.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.12
2,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,083En existencias

Cinta cortada

S/24.12

S/16.47

S/11.78

S/11.09

S/10.97

Envase tipo carrete

S/10.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/68.41
371En existencias
480En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R016CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R016CM8XKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

371En existencias

480En pedido

S/68.41

S/55.69

S/46.44

S/41.32

S/38.61

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.17
1,418En existencias
1,680En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037CM8XKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,418En existencias

1,680En pedido

S/35.17

S/28.12

S/22.75

S/20.21

S/17.93

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/69.75
246En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R016CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R016CM8XKS

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

246En existencias

S/69.75

S/56.76

S/47.30

S/42.14

S/39.39

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.98
625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

625En existencias

Cinta cortada

S/28.98

S/20.55

S/18.19

Envase tipo carrete

S/18.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

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