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CoolSiC Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/51.56
1,440En existencias
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IMLT40R015M2HXTMA1

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726-IMLT40R015M2HXTM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/51.56

S/40.33

S/33.63

S/29.97

S/28.04

Envase tipo carrete

S/28.04

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Mult.: 1

: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R036M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.64
Nuevo producto

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IMLT40R036M2HXTMA1

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726-IMLT40R036M2HXTM

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S/32.64

S/22.06

S/16.08

S/14.06

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S/14.06

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: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.78
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IMLT40R045M2HXTMA1

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726-IMLT40R045M2HXTM

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S/27.78

S/18.62

S/13.42

S/11.52

Envase tipo carrete

S/11.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.17
709En existencias
Nuevo producto

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IMLT65R075M2HXTMA1

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726-IMLT65R075M2HXTM

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Cinta cortada

S/24.17

S/16.47

S/11.78

S/10.45

S/10.41

Envase tipo carrete

S/10.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMT44R011M2HXTMA2
Infineon Technologies
1: S/70.82
1,362En existencias
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IMT44R011M2HXTMA2

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726-IMT44R011M2HXTMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/70.82

S/50.05

S/44.63

S/44.59

Envase tipo carrete

S/41.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMT44R015M2HXTMA2
Infineon Technologies
1: S/56.76
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IMT44R015M2HXTMA2

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S/56.76

S/39.60

S/32.90

S/32.25

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S/30.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMT44R025M2HXTMA2
Infineon Technologies
1: S/38.57
1,588En existencias
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IMT44R025M2HXTMA2

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726-IMT44R025M2HXTMA

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S/38.57

S/28.47

S/23.18

S/23.09

S/22.88

Envase tipo carrete

S/21.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.39
644En existencias
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IMTA65R075M2HXTMA1

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726-IMTA65R075M2HXTM

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/23.39

S/15.61

S/11.18

S/10.79

S/9.72

Envase tipo carrete

S/9.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/75.16
175En existencias
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IMW40R011M2HXKSA1

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175En existencias

S/75.16

S/47.04

S/41.93

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/56.98
200En existencias
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IMW40R015M2HXKSA1

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726-IMW40R015M2HXKSA

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200En existencias

S/56.98

S/34.49

S/31.48

S/31.43

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R025M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.47
336En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW40R025M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R025M2HXKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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336En existencias

S/43.47

S/25.71

S/22.75

S/22.10

Min.: 1
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/97.09
140En existencias
240En pedido
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IMZA120R012M2HXKSA1

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726-IMZA120R012M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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140En existencias

240En pedido

S/97.09

S/68.37

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/89.78
166En existencias
240En pedido
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IMZA120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R017M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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166En existencias

240En pedido

S/89.78

S/67.08

S/58.01

S/57.96

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.08
230En existencias
240En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R026M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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230En existencias

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S/55.08

S/33.37

S/32.94

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Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology

IMZC140R019M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/78.48
164En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC140R019M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC140R019M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology

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Hoja de datos

164En existencias

S/78.48

S/63.90

S/53.23

S/47.39

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology

IMZC140R024M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/57.19
208En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC140R024M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC140R024M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology

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Hoja de datos

208En existencias

S/57.19

S/34.79

S/34.14

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology

IMZC140R029M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.47
214En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC140R029M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC140R029M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology

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Hoja de datos

214En existencias

S/51.47

S/31.05

S/29.80

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology

IMZC140R038M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.03
244En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC140R038M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC140R038M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology

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Hoja de datos

244En existencias

Más información disponible

S/52.03

S/39.43

S/32.85

S/29.28

S/27.39

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.07
753En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R107M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R107M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

753En existencias

Cinta cortada

S/25.07

S/17.63

S/12.94

S/12.90

Envase tipo carrete

S/12.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/73.10
653En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R022M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R022M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

653En existencias

Cinta cortada

S/73.10

S/52.93

S/44.08

Envase tipo carrete

S/41.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.60
437En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

437En existencias

S/28.60

S/16.43

S/13.72

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.32
861En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R072M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R072M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

861En existencias

Cinta cortada

S/30.32

S/21.80

S/17.54

S/16.56

Envase tipo carrete

S/15.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.73
1,019En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R048M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R048M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,019En existencias

Cinta cortada

S/39.73

S/26.19

S/21.16

S/20.34

Envase tipo carrete

S/19.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDW32G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
1: S/50.96
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDW32G65C5BXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDW32G65C5BXKSA2

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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Hoja de datos

132En existencias

S/50.96

S/38.61

S/32.16

S/28.68

S/26.83

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/43.00
180En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT40R025M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R025M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

180En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/43.00

S/29.41

S/23.35

S/20.81

Envase tipo carrete

S/19.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

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