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CoolMOS Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

IPW50R250CP
Infineon Technologies
1: S/15.78
167En existencias

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IPW50R250CP

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726-IPW50R250CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

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167En existencias

S/15.78

S/10.32

S/8.08

S/6.71

S/5.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.18
474En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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474En existencias

S/31.18

S/20.43

S/15.01

S/13.37

S/11.87

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.17
78En existencias
2,500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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78En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/4.17

S/3.26

S/2.18

S/1.69

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.31

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
Disponibilidad restringida

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-B65R190CFD7AATMA

Infineon Technologies

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.47
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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224En existencias

S/32.47

S/25.97

S/21.03

S/18.66

S/16.56

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: S/47.60
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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180En existencias

S/47.60

S/34.66

S/28.85

S/25.67

S/24.04

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.63
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/13.63

S/8.73

S/5.93

S/4.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.37
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/13.37

S/6.71

S/6.06

S/5.85

S/4.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.18
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.18

S/3.44

S/3.07

S/2.30

S/2.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.04
2,100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/8.04

S/5.16

S/3.43

S/2.74

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R195C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.17
2,875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R195C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R195C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Cinta cortada

S/16.17

S/10.49

S/8.04

S/6.71

S/6.24

Envase tipo carrete

S/5.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
3,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R450P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R450P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

S/5.25

S/2.07

S/1.53

S/1.30

Envase tipo carrete

S/1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: S/100.79
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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93En existencias

S/100.79

S/75.25

S/65.06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ65R065C7
Infineon Technologies
1: S/41.58
221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/41.58

S/29.33

S/24.42

S/21.80

S/20.38

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.87
2,125En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD03N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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2,125En existencias

Cinta cortada

S/7.87

S/3.48

S/2.64

S/2.32

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R190C6
Infineon Technologies
1: S/16.60
898En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Hoja de datos

898En existencias

Cinta cortada

S/16.60

S/10.84

S/8.30

S/7.14

Envase tipo carrete

S/6.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.78
4,702En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R950CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,702En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/2.36

S/1.53

S/1.17

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R065S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.96
406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R065S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R065S7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

406En existencias

S/26.96

S/17.67

S/13.03

S/11.52

S/10.23

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.51
420En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N65C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N65C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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Hoja de datos

420En existencias

S/20.51

S/10.66

S/9.72

S/8.82

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R075CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.40
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R075CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R075CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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815En existencias

Cinta cortada

S/34.40

S/22.88

S/18.49

S/16.43

Envase tipo carrete

S/14.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.62
2,510En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,510En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/6.62

S/4.17

S/2.77

S/2.17

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.78
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,485En existencias

Cinta cortada

S/31.78

S/21.50

S/16.25

S/16.21

S/15.65

Envase tipo carrete

S/15.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.55
385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

385En existencias

S/28.55

S/18.71

S/13.76

S/12.26

S/10.88

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000En existencias

S/13.16

S/6.58

S/5.93

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.83
571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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571En existencias

Cinta cortada

S/22.83

S/15.18

S/10.88

S/10.45

Envase tipo carrete

S/9.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

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