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HiPerFET Serie Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds

IXFH10N100Q
IXYS
30: S/51.21
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/51.21

S/44.25

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

IXFH11N80
IXYS
30: S/29.89
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH11N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/29.89

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

IXFH12N100
IXYS
300: S/43.95
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/43.95

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

IXFH12N90
IXYS
60: S/53.92
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

Hoja de datos

No en existencias

S/53.92

S/46.61

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: S/58.09
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/58.09

S/50.22

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: S/34.92
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

S/34.92

S/33.07

S/30.87

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: S/40.42
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/40.42

S/34.92

S/33.07

S/30.87

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: S/46.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/46.61

S/40.29

S/38.14

S/35.60

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

IXFH15N60
IXYS
30: S/29.89
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/29.89

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80
IXYS
30: S/42.70
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/42.70

S/35.56

S/29.58

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80Q
IXYS
30: S/65.40
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/65.40

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

IXFH20N60
IXYS
300: S/52.93
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/52.93

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

IXFH21N50
IXYS
90: S/30.57
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH21N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH21N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

Hoja de datos

No en existencias

S/30.57

S/25.46

S/22.66

S/21.16

Min.: 90
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

IXFH40N30
IXYS
300: S/83.46
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH40N30

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH40N30

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/83.46

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

IXFH42N20
IXYS
300: S/32.90
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH42N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/32.90

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

IXFH50N20
IXYS
300: S/59.04
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/59.04

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

IXFH58N20
IXYS
300: S/45.15
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH58N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH58N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

Hoja de datos

No en existencias

S/45.15

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V

IXFH67N10
IXYS
30: S/42.53
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH67N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH67N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V

Hoja de datos

No en existencias

S/42.53

S/35.43

S/31.56

S/29.46

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1000V 2 Rds

IXFH6N100Q
IXYS
30: S/33.07
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N100Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N100Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1000V 2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/33.07

S/27.52

S/24.51

S/21.84

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

IXFH76N07-11
IXYS
300: S/66.95
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH76N07-11

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH76N07-11

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

S/66.95

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

IXFH76N07-12
IXYS
90: S/32.90
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH76N07-12

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH76N07-12

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

Hoja de datos

No en existencias

S/32.90

S/27.35

S/24.38

S/22.79

Min.: 90
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V

IXFH7N80
IXYS
30: S/32.21
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH7N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH7N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V

Hoja de datos

No en existencias

S/32.21

S/26.79

S/23.87

S/22.32

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 110A

IXFK110N07
IXYS
300: S/98.08
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK110N07

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK110N07

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 110A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/98.08

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V

IXFK170N10
IXYS
25: S/66.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V

Hoja de datos

No en existencias

S/66.61

S/66.56

Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 24A

IXFK24N100
IXYS
300: S/118.25
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK24N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK24N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 24A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/118.25

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

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