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CoolMOS Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R080CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.61
1,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R080CFD7XTMA1

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726-IPT65R080CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,880En existencias

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S/31.61

S/20.73

S/15.22

S/13.55

S/12.00

Envase tipo carrete

S/12.00

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Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.83
1,934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R125CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,934En existencias

Cinta cortada

S/18.83

S/12.43

S/8.77

S/7.74

S/7.65

Envase tipo carrete

S/7.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.77
547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

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547En existencias

S/51.77

S/31.13

S/28.51

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/45.41
703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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703En existencias

S/45.41

S/27.09

S/25.28

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.69
906En existencias
2,400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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906En existencias

2,400En pedido

S/35.69

S/23.74

S/19.22

S/17.03

S/15.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.42
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

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976En existencias

S/24.42

S/16.00

S/11.78

S/10.45

S/9.29

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R019C7FKSA1
Infineon Technologies
1: S/83.51
750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R019C7FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R019C7FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

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S/83.51

S/55.64

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDA
Infineon Technologies
1: S/35.48
381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R080CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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S/35.48

S/25.80

S/21.50

S/19.14

S/17.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.92
390En existencias
240En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R080CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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240En pedido

S/34.92

S/20.34

S/17.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/100.79
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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167En existencias

S/100.79

S/75.25

S/65.06

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.62
1,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R065C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/41.62

S/29.37

S/24.47

S/21.80

S/20.38

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

SPW32N50C3
Infineon Technologies
1: S/37.15
1,208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW32N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

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1,208En existencias

S/37.15

S/21.80

S/19.44

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/6.11
952En existencias
1,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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952En existencias

1,000En pedido

S/6.11

S/2.89

S/2.57

S/2.01

S/1.68

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA60R125C6
Infineon Technologies
1: S/21.20
251En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125C6XK

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6

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251En existencias

S/21.20

S/15.52

S/12.81

S/10.84

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R199CP
Infineon Technologies
1: S/17.46
294En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

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294En existencias

S/17.46

S/8.94

S/8.13

S/7.10

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.63
498En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R1K0CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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498En existencias

S/5.63

S/2.64

S/2.35

S/1.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA60R280E6
Infineon Technologies
1: S/13.16
273En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6

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Hoja de datos

273En existencias

S/13.16

S/8.51

S/6.28

S/4.99

S/4.56

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.03
431En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280E6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280E6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6

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Hoja de datos

431En existencias

S/25.03

S/6.28

S/4.56

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R299CP
Infineon Technologies
1: S/13.67
452En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R299CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R299CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

452En existencias

S/13.67

S/8.90

S/6.84

S/5.68

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD65R380E6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.23
646En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R380E6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R380E6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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646En existencias

Cinta cortada

S/10.23

S/6.58

S/4.47

S/3.56

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6

IPL60R360P6SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
3,900En existencias
5,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R360P6SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R360P6SATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6

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3,900En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/9.89

S/6.36

S/4.30

S/3.42

S/3.15

Envase tipo carrete

S/2.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6

IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.90
5,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R650P6SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R650P6SATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6

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Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/8.90

S/5.68

S/3.80

S/3.01

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
3,057En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,057En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.58

S/1.68

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.929

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.61
1,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,837En existencias

Cinta cortada

S/3.61

S/2.24

S/1.45

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.748

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.45
2,049En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,049En existencias

Cinta cortada

S/6.45

S/4.07

S/2.70

S/2.11

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

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