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Infineon CoolMOS Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R099CM8XTMA1
Infineon Technologies
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IPLT60R099CM8XTMA1

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726-IPLT60R099CM8XTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R070CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.61
700En existencias
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IPLT60R070CM8XTMA1

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S/8.73

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R055CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.65
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IPLT60R055CM8XTMA1

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726-IPLT60R055CM8XTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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S/13.33

S/11.87

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.87
13,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

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S/10.36

S/8.08

S/6.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
1: S/19.74
930En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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S/19.74

S/13.07

S/10.23

S/9.12

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S/8.04

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
33,407En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD02N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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S/2.06

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S/1.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R099CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.16
822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R099CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R099CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/25.16

S/16.86

S/12.13

S/12.00

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S/11.14

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

IPB65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/11.05
1,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

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S/11.05

S/7.10

S/4.82

S/4.01

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S/3.52

S/3.47

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Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
1: S/21.67
1,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80R290C3AATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80R290C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/21.67

S/17.33

S/12.90

S/12.47

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S/11.05

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
7,304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/12.77

S/8.30

S/5.81

S/4.82

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S/4.47

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.26
7,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R380P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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S/8.26

S/5.29

S/3.57

S/2.83

S/2.59

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S/2.46

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.67
27,761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/6.67

S/4.20

S/2.80

S/2.20

S/2.00

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S/1.81

MouseReel Disponible

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7
Infineon Technologies
1: S/42.53
774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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774En existencias

S/42.53

S/33.28

S/27.74

S/24.68

S/23.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.37
2,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/9.37

S/5.12

Envase tipo carrete

S/5.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.91
4,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,517En existencias

Cinta cortada

S/7.91

S/5.07

S/3.39

S/2.68

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.24
5,818En existencias
6,490En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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5,818En existencias

6,490En pedido

S/6.24

S/3.59

S/3.31

S/2.76

S/2.61

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6
Infineon Technologies
1: S/18.92
844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

844En existencias

S/18.92

S/12.64

S/9.72

S/8.60

S/7.65

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.64
2,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,797En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.55

S/3.73

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.64

S/2.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
1: S/13.85
1,452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPB21N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB21N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1,452En existencias

Cinta cortada

S/13.85

S/10.58

S/8.56

S/8.04

Envase tipo carrete

S/7.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

IPL60R210P6
Infineon Technologies
1: S/14.45
1,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R210P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R210P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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1,510En existencias

Cinta cortada

S/14.45

S/9.42

S/7.22

S/6.06

S/5.59

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R165CP
Infineon Technologies
1: S/20.34
2,498En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

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2,498En existencias

Cinta cortada

S/20.34

S/13.46

S/10.54

S/9.37

Envase tipo carrete

S/8.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.75
2,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,662En existencias

Cinta cortada

S/14.75

S/9.63

S/6.79

S/5.81

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.43
1,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,722En existencias

Cinta cortada

S/12.43

S/7.96

S/5.42

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R019C7
Infineon Technologies
1: S/92.79
805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

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Hoja de datos

805En existencias

S/92.79

S/69.32

S/59.94

S/59.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.02
1,962En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Hoja de datos

1,962En existencias

Cinta cortada

S/18.02

S/11.87

S/8.39

S/7.61

Envase tipo carrete

S/7.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

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