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IXYS Semiconductores

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N.° de pieza

IGBTs 12 Amps 1700 V 7 V Rds

IXGT6N170A
IXYS
1: S/69.27
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGT6N170A

N.º de artículo de Mouser
747-IXGT6N170A

IXYS

IGBTs 12 Amps 1700 V 7 V Rds

Hoja de datos

840En existencias

Más información disponible

S/69.27

S/43.60

S/43.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMD N-CHANNEL POWER MOSFET

IXTA02N250HV
IXYS
1: S/60.85
1,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA02N250HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA02N250HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMD N-CHANNEL POWER MOSFET

Hoja de datos

1,024En existencias

S/60.85

S/45.45

S/39.30

S/37.20

S/31.56

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTA05N100HV
IXYS
1: S/21.54
1,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

1,773En existencias

S/21.54

S/17.24

S/13.93

S/12.38

S/10.62

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.6 Amps 1200V 32 Rds

IXTA06N120P
IXYS
1: S/27.00
1,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA06N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA06N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.6 Amps 1200V 32 Rds

Hoja de datos

1,175En existencias

S/27.00

S/17.67

S/13.03

S/11.57

S/10.28

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA06N120P TRL

IXTA06N120P-TRL
IXYS
1: S/23.65
721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA06N120P-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA06N120P-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA06N120P TRL

Hoja de datos

721En existencias

Cinta cortada

S/23.65

S/15.82

S/11.35

S/11.31

Envase tipo carrete

S/8.99

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA08N100D2
IXYS
1: S/17.07
1,052En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

1,052En existencias

S/17.07

S/8.69

S/7.44

S/6.45

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA120P065T TRL

IXTA120P065T-TRL
IXYS
1: S/31.43
985En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA120P065T-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA120P065T-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA120P065T TRL

Hoja de datos

985En existencias

800En pedido

Cinta cortada

S/31.43

S/25.16

S/20.34

S/18.10

Envase tipo carrete

S/16.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR

IXTA15N50L2
IXYS
1: S/65.53
398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA15N50L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA15N50L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR

Obtenga más información

Hoja de datos

398En existencias

S/65.53

S/37.97

S/37.93

S/34.23

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTA180N10T
IXYS
1: S/28.90
552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA180N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA180N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

552En existencias

S/28.90

S/14.45

S/13.76

S/12.00

S/11.83

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA180N10T TRL

IXTA180N10T-TRL
IXYS
1: S/29.07
2,492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA180N10T-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA180N10T-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA180N10T TRL

Hoja de datos

2,492En existencias

Cinta cortada

S/29.07

S/21.29

S/17.20

S/15.31

Envase tipo carrete

S/13.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV

IXTA1N200P3HV
IXYS
1: S/45.06
1,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1N200P3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1N200P3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV

Obtenga más información

Hoja de datos

1,597En existencias

Más información disponible

S/45.06

S/30.75

S/24.98

S/24.38

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA1R6N100D2
IXYS
1: S/20.73
1,776En existencias
2,300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

1,776En existencias

2,300En pedido

S/20.73

S/10.75

S/9.76

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

IXTA26P20P
IXYS
1: S/17.16
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA26P20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA26P20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

Hoja de datos

550En existencias

S/17.16

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

IXTA2R4N120P
IXYS
1: S/35.65
493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA2R4N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA2R4N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

Hoja de datos

493En existencias

Más información disponible

S/35.65

S/21.54

S/20.90

S/15.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 300V 36A

IXTA36N30P
IXYS
1: S/24.12
1,801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA36N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA36N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 300V 36A

Hoja de datos

1,801En existencias

S/24.12

S/12.30

S/11.52

S/10.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

IXTA36P15P
IXYS
1: S/34.27
425En existencias
400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA36P15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA36P15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

Hoja de datos

425En existencias

400En pedido

S/34.27

S/18.75

S/17.20

S/17.16

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

IXTA36P15P TRL
IXYS
1: S/29.07
753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA36P15P TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA36P15PTRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

Hoja de datos

753En existencias

Cinta cortada

S/29.07

S/23.22

S/18.15

S/17.20

Envase tipo carrete

S/17.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXTA3N120
IXYS
1: S/36.46
960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

Hoja de datos

960En existencias

Más información disponible

S/36.46

S/22.70

S/20.90

S/18.83

S/18.15

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N120 TRL

IXTA3N120-TRL
IXYS
1: S/39.00
1,562En existencias
1,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N120 TRL

Hoja de datos

1,562En existencias

1,600En pedido

Cinta cortada

S/39.00

S/27.52

S/24.94

S/22.27

Envase tipo carrete

S/18.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N150HV TRL

IXTA3N150HV-TRL
IXYS
1: S/54.65
1,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N150HV-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N150HV-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N150HV TRL

Hoja de datos

1,212En existencias

Cinta cortada

S/54.65

S/38.31

S/33.33

S/27.22

Envase tipo carrete

S/27.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds

IXTA44P15T
IXYS
1: S/32.90
2,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA44P15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA44P15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds

Hoja de datos

2,005En existencias

Más información disponible

S/32.90

S/17.93

S/16.43

S/14.02

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

IXTA4N150HV
IXYS
1: S/59.68
193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA4N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

193En existencias

S/59.68

S/40.16

S/37.24

S/29.54

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

IXTA52P10P
IXYS
1: S/33.28
1,687En existencias
400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA52P10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA52P10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

Hoja de datos

1,687En existencias

400En pedido

S/33.28

S/18.75

S/17.20

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 64A N-CH LINEAR

IXTA64N10L2
IXYS
1: S/63.21
1,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA64N10L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA64N10L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 64A N-CH LINEAR

Obtenga más información

Hoja de datos

1,430En existencias

Más información disponible

S/63.21

S/44.12

S/40.89

S/40.68

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA6N100D2 TRL

IXTA6N100D2-TRL
IXYS
1: S/47.47
770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA6N100D2 TRL

Hoja de datos

770En existencias

Cinta cortada

S/47.47

S/34.53

S/28.77

S/23.95

Envase tipo carrete

S/23.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

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