Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 21A
SISA14BDN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 21A
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Circuitos integrados de interruptor analógico Quad SPST Switch 3-16V
DG411LEDY-GE3
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Circuitos integrados de interruptor analógico Quad SPST Switch 3-16V
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Circuitos integrados de interruptor analógico Mono quad SPST Pd 650mW SOIC-16
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DG442LEDY-T1-GE3
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Circuitos integrados de interruptor analógico Mono quad SPST Pd 650mW SOIC-16
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Circuitos integrados de interruptor analógico Dual SPST Switch 1pC charge injection
DG9232EDY-T1-GE3
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Circuitos integrados de interruptor analógico Dual SPST Switch 1pC charge injection
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 14A N-CH MOSFET
IRF530PBF-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 14A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 50V 8.2A
IRFR010PBF-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 14A
IRFR024TRPBF-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 14A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 1.7A N-CH MOSFET
IRFR310TRPBF-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 1.7A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
IRFZ40PBF-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 4A
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SI1441EDH-T1-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 7.5A
SI3407DV-T1-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 7.5A
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Reguladores de voltaje de conmutación microBUCK 4.5-55V; 20A
SIC431CED-T1-GE3
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Reguladores de voltaje de conmutación microBUCK 4.5-55V; 20A
2,245 En existencias
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S/12.81
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Reguladores de voltaje de conmutación 12A External Ultrsnc PowerPAK MLP44-24L
SIC437CED-T1-GE3
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Reguladores de voltaje de conmutación 12A External Ultrsnc PowerPAK MLP44-24L
2,778 En existencias
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S/11.57
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S/7.91
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S/6.71
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S/5.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 21A N-CH MOSFET
SIHA22N60EL-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 21A N-CH MOSFET
908 En existencias
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S/21.89
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S/14.58
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S/10.41
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S/9.33
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S/9.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 35A N-CH MOSFET
SIHG080N60E-GE3
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHG080N60E-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 35A N-CH MOSFET
999 En existencias
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S/24.98
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S/14.53
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET
SIHG17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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S/17.63
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHG17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET
1,575 En existencias
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S/17.63
10
S/10.02
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S/8.17
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S/7.96
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S/7.40
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S/7.01
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET
SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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S/8.43
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET
1,695 En existencias
1
S/8.43
10
S/7.31
100
S/7.27
500
S/6.11
1,000
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S/5.63
2,000
S/5.33
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
SIHP22N60AE-BE3
Vishay / Siliconix
1:
S/20.21
3,573 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIHP22N60AE-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
3,573 En existencias
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S/20.21
10
S/10.45
100
S/9.50
500
S/8.43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V TO-220AB
SIHP24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/19.95
3,864 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIHP24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V TO-220AB
3,864 En existencias
1
S/19.95
10
S/13.03
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S/10.19
500
S/8.56
1,000
Ver
1,000
S/7.87
2,000
S/7.53
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
SIHP35N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/29.76
697 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIHP35N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
697 En existencias
1
S/29.76
10
S/15.95
100
S/14.62
1,000
S/14.10
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
SIHU6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/11.35
2,638 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIHU6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
2,638 En existencias
1
S/11.35
10
S/7.27
100
S/5.03
500
S/4.25
1,000
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1,000
S/3.77
3,000
S/3.43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
SIRA14BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.31
9,027 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIRA14BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
9,027 En existencias
1
S/3.31
10
S/2.06
100
S/1.33
500
S/1.01
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S/0.912
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Ver
1,000
S/0.912
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S/0.826
9,000
S/0.765
24,000
S/0.701
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRA58DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/9.89
5,033 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIRA58DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
5,033 En existencias
1
S/9.89
10
S/6.36
100
S/4.52
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S/3.70
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S/3.43
3,000
S/3.18
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified
SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/5.07
23,848 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified
23,848 En existencias
Embalaje alternativo
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S/5.07
10
S/3.19
100
S/2.10
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S/1.63
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S/1.41
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S/1.47
6,000
S/1.33
9,000
S/1.29
24,000
S/1.26
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/10.36
2,923 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
2,923 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.36
10
S/6.67
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S/4.56
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S/3.63
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S/3.56
2,500
S/3.38
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
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Perú
