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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 91

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics

Polaridad del transistor

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: S/371.00
33En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

33En existencias

S/371.00

S/311.58

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

130 V

175 MHz

15 dB

175 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

SD2942W
STMicroelectronics
1: S/828.27
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2942W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

Hoja de datos

75En existencias

S/828.27

S/678.63

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

130 V

175 MHz

15 dB

350 W

+ 200 C

Screw Mount

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

SD2943W
STMicroelectronics
1: S/678.50
71En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2943W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2943W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

Hoja de datos

71En existencias

S/678.50

S/549.45

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

SD4933MR
STMicroelectronics
1: S/653.73
66En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD4933MR

N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

66En existencias

S/653.73

S/557.45

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

200 V

100 MHz

24 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M177MR-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: S/434.26
51En existencias
40En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD57045

N.º de artículo de Mouser
511-SD57045

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

Hoja de datos

51En existencias

40En pedido

S/434.26

S/346.15

S/335.14

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

65 V

1 GHz

13 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M243

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

STAC2942BW
STMicroelectronics
1: S/623.37
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STAC2942BW

N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

Obtenga más información

Hoja de datos

75En existencias

Más información disponible

S/623.37

S/526.75

S/490.11

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

130 V

250 MHz

21 dB

350 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

STAC244B

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

SD2932BW
STMicroelectronics
1: S/919.25
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932BW

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

36En existencias

S/919.25

S/783.46

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

125 V

250 MHz

15 dB

300 W

+ 200 C

Screw Mount

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST

PD54008TR-E
STMicroelectronics
600: S/40.29
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD54008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/40.29

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55015STR-E
STMicroelectronics
600: S/43.34
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55015STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/43.34

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel

PD55025TR-E
STMicroelectronics
600: S/94.43
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55025TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/94.43

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

N-Channel

7 A

12.5 V

500 MHz

14.5 dB

25 W

+ 165 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-2

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57018STR-E
STMicroelectronics
600: S/95.25
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57018STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/95.25

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57018TR-E
STMicroelectronics
600: S/96.62
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57018TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/96.62

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57030S-E
STMicroelectronics
400: S/163.53
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57030S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/163.53

Ver

Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel

4 A

65 V

1 GHz

14 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57045-E
STMicroelectronics
400: S/185.85
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57045-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57045-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/185.85

Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel

5 A

65 V

1 GHz

13 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060S-E
STMicroelectronics
400: S/200.72
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57060S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/200.72

Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060TR-E
STMicroelectronics
600: S/200.72
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57060TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/200.72

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035S-E
STMicroelectronics
400: S/85.14
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD85035S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/85.14

Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel

8 A

40 V

1 GHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035STR-E
STMicroelectronics
600: S/98.13
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD85035STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/98.13

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

N-Channel

8 A

40 V

1 GHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L15200CB4
STMicroelectronics
100: S/675.01
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L15200CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L15200CB4

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/675.01

Min.: 100
Mult.: 100

Carrete: 100

Dual N-Channel

65 V

1 Ohms

860 MHz

17.5 dB

200 W

+ 200 C

SMD/SMT

LBB-5

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CF2
STMicroelectronics
120: S/520.30
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CF2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/520.30

Min.: 120
Mult.: 120

Carrete: 120

N-Channel

65 V

1 Ohms

1.47 GHz

17.5 dB

180 W

+ 200 C

SMD/SMT

B2-3

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L27015CG2
STMicroelectronics
300: S/157.64
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L27015CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27015CG2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/157.64

Min.: 300
Mult.: 300

Carrete: 300

N-Channel

60 V

1 Ohms

2.7 GHz

19 dB

15 W

+ 200 C

SMD/SMT

E2-3

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L27025CG2
STMicroelectronics
300: S/148.69
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L27025CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27025CG2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/148.69

Min.: 300
Mult.: 300

Carrete: 300

N-Channel

65 V

1 Ohms

2.7 GHz

18 dB

25 W

+ 200 C

SMD/SMT

E2-3

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L36040CF2
STMicroelectronics
160: S/260.15
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L36040CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L36040CF2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/260.15

Min.: 160
Mult.: 160

Carrete: 160

N-Channel

60 V

1 Ohms

3.6 GHz

14 dB

40 W

+ 200 C

SMD/SMT

A2-3

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF3L05150CB4
STMicroelectronics
100: S/668.99
Plazo de entrega 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF3L05150CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05150CB4

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/668.99

Min.: 100
Mult.: 100

Carrete: 100

N-Channel

2.5 A

28 V

1 Ohms

945 MHz

16 dB

150 W

+ 200 C

Through Hole

LBB-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-12W
STMicroelectronics
50: S/293.17
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-12W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-12W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

S/293.17

S/291.50

Min.: 50
Mult.: 50

Bulk

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 MHz
100 MHz
150 MHz
175 MHz
200 MHz
230 MHz
250 MHz
500 MHz
860 MHz
870 MHz
930 MHz
945 MHz
1 GHz
1.47 GHz
1.5 GHz
1.6 GHz
1.625 GHz
2.7 GHz
3.5 GHz
3.6 GHz

11.5 dB
12 dB
12.5 dB
13 dB
13.4 dB
14 dB
14.3 dB
14.5 dB
14.8 dB
14.9 dB
15 dB
16 dB
16.5 dB
17 dB
17.3 dB
17.5 dB
18 dB
19 dB
20 dB
21 dB

3 W
8 W
12 W
15 W
18 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
60 W
75 W
80 W
120 W
150 W
175 W
180 W
200 W
250 W
300 W

A2-3
B2-3
B4E-5
E2-3
LBB-3
LBB-4
LBB-5
M174
M177
M177MR-5
M243
M243-3
M244
M246
M250
MM-2
PowerFLAT (5x5)
PowerSO-10
PowerSO-10RF-2
PowerSO-10RF-Formed-4