Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/2.45
867 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SC5087RTE85LF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
867 En existencias
1
S/2.45
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S/0.469
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S/0.452
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RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SMQ-4
Bipolar
Si
8 GHz
- 55 C
+ 125 C
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor
2SC5108-Y,LF
Toshiba
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S/2.28
2,815 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SC5108-YLF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor
2,815 En existencias
1
S/2.28
10
S/1.40
100
S/0.92
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S/0.636
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S/0.477
9,000
S/0.434
24,000
S/0.409
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RF Bipolar Transistors
Si
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
MT3S113TU,LF
Toshiba
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S/2.92
2,129 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-MT3S113TULF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
2,129 En existencias
1
S/2.92
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S/1.20
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RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
UFM-3
Bipolar
SiGe
11.2 GHz
+ 150 C
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
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430 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SK4037TE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
430 En existencias
1
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
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Si
470 MHz
36.5 dBm
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11.5 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
2SK3079ATE12LQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-2SK3079ATE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
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1
S/14.23
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PW-X-4
Si
470 MHz
2.2 W
13.5 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba
3,000:
S/2.33
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N.º de artículo de Mouser 757-RFM00U7UTE85LF
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
SOT-343-4
Si
520 MHz
200 mW
13 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
RFM12U7X(TE12L,Q)
Toshiba
1,000:
S/22.45
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N.º de artículo de Mouser 757-RFM12U7XTE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
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Min.: 1,000 Mult.: 1,000
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PW-X-4
Si
520 MHz
12 W
10.8 dB
Reel
Perú
