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CEL Transistores de radiofrecuencia

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Tipos de Transistores de radiofrecuencia

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Resultados: 14

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C

CE3521M4
CEL
1: S/14.92
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3521M4

N.º de artículo de Mouser
551-CE3521M4

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C

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Hoja de datos

88En existencias

S/14.92

S/9.72

S/5.98

S/5.68

S/5.55

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

20 GHz

- 55 C

+ 125 C

11.9 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

CE3512K2-C1
CEL
1: S/7.18
11,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3512K2-C1

N.º de artículo de Mouser
551-CE3512K2-C1

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

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Hoja de datos

11,248En existencias

Cinta cortada

S/7.18

S/4.82

S/4.01

S/3.85

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

MICRO-X-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

13.7 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

CE7613M4
CEL
1: S/6.67
2,799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE7613M4

N.º de artículo de Mouser
551-CE7613M4

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

Obtenga más información

Hoja de datos

2,799En existencias

S/6.67

S/4.39

S/3.69

S/3.50

S/3.38

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

14.1 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

CE7613M4-C2
CEL
1: S/8.26
12,577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE7613M4-C2

N.º de artículo de Mouser
551-CE7613M4-C2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

Obtenga más información

Hoja de datos

12,577En existencias

Cinta cortada

S/8.26

S/5.29

S/3.65

S/3.10

Ver

Envase tipo carrete

S/2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

14.1 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

CE3520K3-C1
CEL
1: S/9.80
4,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3520K3-C1

N.º de artículo de Mouser
551-CE3520K3-C1

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

Obtenga más información

Hoja de datos

4,650En existencias

Cinta cortada

S/9.80

S/6.62

S/5.63

S/5.42

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

MICRO-X-4

pHEMT

GaAs

24 GHz

- 55 C

+ 125 C

13.8 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

CE3512K2
CEL
1: S/9.29
1,132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3512K2

N.º de artículo de Mouser
551-CE3512K2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

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Hoja de datos

1,132En existencias

S/9.29

S/6.24

S/5.12

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

MICRO-X-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

13.7 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

CE3514M4
CEL
1: S/11.91
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3514M4

N.º de artículo de Mouser
551-CE3514M4

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

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Hoja de datos

53En existencias

S/11.91

S/7.70

S/4.34

S/4.15

S/3.99

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

12.2 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

CE3514M4-C2
CEL
1: S/5.55
1,885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3514M4-C2

N.º de artículo de Mouser
551-CE3514M4-C2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

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Hoja de datos

1,885En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/5.55

S/3.66

S/3.04

S/2.92

Ver

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

12.2 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

CE3520K3
CEL
1: S/16.99
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3520K3

N.º de artículo de Mouser
551-CE3520K3

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

Hoja de datos

253En existencias

S/16.99

S/11.14

S/8.17

S/6.45

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

pHEMT

GaAs

Bulk

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ

NESG270034-EV09-AZ
CEL
1: S/678.33
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
NESG270034-EV09-AZ

N.º de artículo de Mouser
NESG270034-EV09-AZ

CEL

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ

Hoja de datos

No en existencias

S/678.33

S/635.33

S/611.42

S/601.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

Bipolar

SiGe

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C

CE3521M4-C2
CEL
15,000: S/4.30
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3521M4-C2

N.º de artículo de Mouser
551-CE3521M4-C2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.30

Min.: 15,000
Mult.: 15,000

Carrete: 15,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

20 GHz

- 55 C

+ 125 C

11.9 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz

NE5550979A-EV04-A
CEL
1: S/762.78
N/A

N.º de artículo del Fabricante
NE5550979A-EV04-A

N.º de artículo de Mouser
551-NE5550979A-EV04A

CEL

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz

Hoja de datos

N/A

S/762.78

S/650.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

CE7530K2-C1
CEL
10,000: S/5.85
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE7530K2-C1

N.º de artículo de Mouser
551-CE7530K2-C1

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

No en existencias

Envase tipo carrete

S/5.85

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

RF JFET Transistors

Reel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

CE7531K3-C1
CEL
10,000: S/5.85
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE7531K3-C1

N.º de artículo de Mouser
551-CE7531K3-C1

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

No en existencias

Envase tipo carrete

S/5.85

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

RF JFET Transistors

Reel

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