Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP
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94-BLP15M9S30Z
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10
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500
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N-Channel
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Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP
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1
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Detalles
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LDMOS
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BLP9G0722-20GZ
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94-BLP9G0722-20GZ
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP
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1
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100
S/57.28
500
S/57.28
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Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
500 mOhms
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20 W
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SMD/SMT
SOT1483-1-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP
BLP9H10S-350AY
Ampleon
1:
S/260.11
64 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-350AY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP
64 En existencias
1
S/260.11
10
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100
S/188.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
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250 mOhms, 370 mOhms
600 MHz to 960 MHz
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350 W
- 40 C
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Ampleon
1:
S/244.03
57 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-500AWTY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
57 En existencias
1
S/244.03
10
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100
S/180.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
48 V
174 mOhms, 250 mOhms
600 MHz to 960 MHz
19 dB
500 W
- 40 C
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SMD/SMT
OMP-780-6F-1-7
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY
BLS9G2735L-50U
Ampleon
1:
S/499.19
85 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2735L-50U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY
85 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
300 mOhms
2.7 GHz to 3.5 GHz
12 dB
50 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT1135A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
BLS9G3135L-400U
Ampleon
1:
S/1,554.58
43 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G3135L-400U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
43 En existencias
1
S/1,554.58
10
S/1,306.68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
26 mOhms
3.1 GHz to 3.5 GHz
11 dB
400 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT502A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY
ART450FEU
Ampleon
1:
S/761.70
1 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART450FEU
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY
1 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
340 mOhms
1 MHz to 650 MHz
27 dB
450 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT1121A-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL
BLP5LA55SXY
Ampleon
1:
S/111.63
72 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP5LA55SXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL
72 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/111.63
10
S/91.33
100
S/75.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
30 V
60 mOhms
520 MHz
19.6 dB
55 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL
BLP9LA25SGXY
Ampleon
1:
S/84.58
114 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SGXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL
114 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/84.58
10
S/69.62
100
S/60.16
500
S/53.19
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
40 V
128 mOhms
941 MHz
18.8 dB
25 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY
BLF647P,112
Ampleon
1:
S/956.49
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLF647P112
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
100 mA
65 V
140 mOhms
1.5 GHz
18 dB
200 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT-1121A-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
BLS9G2731L-400U
Ampleon
1:
S/1,540.78
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2731L-400U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
1
S/1,540.78
10
S/1,333.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
30 mOhms
2.7 GHz to 3.1 GHz
13 dB
400 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT502A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
BLM9D2327-26BZ
Ampleon
1:
S/127.54
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D2327-26BZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
Embalaje alternativo
1
S/127.54
10
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S/89.14
500
S/89.14
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
LDMOS
65 V
2.3 GHz to 2.7 GHz
31.3 dB
44.8 dBm
+ 200 C
SMD/SMT
QFN-20
Reel, Cut Tape, MouseReel