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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 204

Filtros aplicados:

Fabricante = Ampleon

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD

BLC2425M10LS500PZ
Ampleon
1: S/955.07
110En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS500PZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS500PZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD

Hoja de datos

110En existencias

S/955.07

S/778.60

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

45.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

14.5 dB

500 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1250-1-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY

BLF974PU
Ampleon
1: S/944.93
194En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF974PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF974PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY

Hoja de datos

194En existencias

S/944.93

S/769.87

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

110 mOhms

700 MHz

25.7 dB

500 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY

BLF978PU
Ampleon
1: S/1,154.21
101En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF978PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF978PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY

Hoja de datos

101En existencias

S/1,154.21

S/952.45

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

54 mOhms

700 MHz

24.5 dB

1.2 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY

BLL9G1214L-600U
Ampleon
1: S/1,264.03
115En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLL9G1214L-600U

N.º de artículo de Mouser
94-BLL9G1214L-600U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY

Hoja de datos

115En existencias

S/1,264.03

S/1,088.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

26 mOhms

1.2 GHz to 1.4 GHz

19 dB

600 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT502A-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL

BLP15M9S30GXY
Ampleon
1: S/107.63
88En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S30GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S30GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

88En existencias

Cinta cortada

S/107.63

S/88.06

Envase tipo carrete

S/72.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

32 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY

CLF3H0035-100U
Ampleon
1: S/1,277.53
77En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
CLF3H0035-100U

N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035-100U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY

Hoja de datos

77En existencias

S/1,277.53

S/1,088.80

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

GaN Si

50 V

240 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz

15 dB

100 W

+ 300 C

Screw Mount

SOT467C-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY

CLF3H0035S-100U
Ampleon
1: S/1,241.02
60En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
CLF3H0035S-100U

N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035S-100U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY

Hoja de datos

60En existencias

S/1,241.02

S/1,028.78

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

GaN Si

50 V

240 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz

15 dB

100 W

+ 300 C

SMD/SMT

SOT467B-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY

ART150FEU
Ampleon
1: S/592.20
83En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART150FEU

N.º de artículo de Mouser
94-ART150FEU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY

Hoja de datos

83En existencias

S/592.20

S/467.63

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

482 mOhms

1 MHz to 650 MHz

31 dB

150 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT467C-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

B11G2327N71DYZ
Ampleon
1: S/293.73
130En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
B11G2327N71DYZ

N.º de artículo de Mouser
94-B11G2327N71DYZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

130En existencias

Cinta cortada

S/293.73

S/230.78

S/220.16

Envase tipo carrete

S/220.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 300

LDMOS

65 V

2.3 GHz to 2.7 GHz

33.5 dB

49.5 dBm

+ 200 C

SMD/SMT

QFN-36

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY

BLA9H0912LS-250GU
Ampleon
1: S/1,159.19
50En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLA9H0912LS-250GU

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS-250GU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY

Hoja de datos

50En existencias

S/1,159.19

S/1,049.50

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

50 V

110 mOhms

960 MHz to 1.215 GHz

22 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT502E-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP

BLC2425M9LS250Z
Ampleon
1: S/544.94
70En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M9LS250Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M9LS250Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP

Hoja de datos

70En existencias

S/544.94

S/427.55

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

52.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

18.5 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1270-1-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY

BLF13H9L750PU
Ampleon
1: S/879.57
29En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF13H9L750PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF13H9L750PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY

Hoja de datos

29En existencias

S/879.57

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

90 mOhms

1.3 GHz

19 dB

750 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647PS/SOT1121/TRAY

BLF647PS,112
Ampleon
1: S/876.90
43En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF647PS,112

N.º de artículo de Mouser
94-BLF647PS112

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647PS/SOT1121/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

43En existencias

S/876.90

S/779.89

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

100 mA

65 V

140 mOhms

1.5 GHz

17.5 dB

200 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1121B-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984P/SOT1121/TRAY

BLF984PU
Ampleon
1: S/738.05
84En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF984PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF984PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984P/SOT1121/TRAY

Hoja de datos

84En existencias

S/738.05

S/591.51

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

180 mOhms

30 MHz to 860 MHz

22.5 dB

450 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT1121A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989E/SOT539/TRAY

BLF989EU
Ampleon
1: S/1,107.81
36En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF989EU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF989EU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989E/SOT539/TRAY

Hoja de datos

36En existencias

S/1,107.81

S/911.82

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

60 mOhms, 90 mOhms

400 MHz to 860 MHz

20 dB

1 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539AN-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP

BLM10D3438-35ABZ
Ampleon
1: S/98.99
804En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM10D3438-35ABZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM10D3438-35ABZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP

Hoja de datos

804En existencias

Cinta cortada

S/98.99

S/74.48

S/67.64

Envase tipo carrete

S/67.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

LDMOS

65 V

3.4 GHz to 3.8 GHz

35.4 dB

45.5 dBm

+ 200 C

SMD/SMT

QFN-20

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC

BLM2425M7S60PY
Ampleon
1: S/194.06
74En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM2425M7S60PY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM2425M7S60PY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC

Hoja de datos

74En existencias

Cinta cortada

S/194.06

S/161.59

Envase tipo carrete

S/144.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

32 V

350 mOhms, 2.35 Ohms

2.4 GHz to 2.5 GHz

27.5 dB

60 W

+ 150 C

SMD/SMT

SOT1211-3-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP

BLM2425M9S20Z
Ampleon
1: S/128.91
Plazo de entrega 16 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM2425M9S20Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLM2425M9S20Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP

Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

S/128.91

S/97.27

S/90.17

Min.: 1
Mult.: 1

LDMOS

65 V

350 mOhms, 2.35 Ohms

2.4 GHz to 2.5 GHz

28 dB

20 W

+ 150 C

SMD/SMT

OMP-400-8F-1-8

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

BLM7G1822S-40PBGY
Ampleon
1: S/182.88
75En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-40PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

Hoja de datos

75En existencias

Cinta cortada

S/182.88

S/152.18

Envase tipo carrete

S/135.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

65 V

1.805 GHz to 2.17 GHz

33 dB

45.1 W

+ 150 C

SMD/SMT

SOT1212-3-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC

BLM7G1822S-80PBGY
Ampleon
1: S/294.85
94En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-80PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-80PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC

Hoja de datos

94En existencias

Cinta cortada

S/294.85

S/231.94

Envase tipo carrete

S/221.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

28 V

1.805 GHz to 2.17 GHz

29 dB

49.6 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

SOT1212-3-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP

BLM9D1822S-60PBGY
Ampleon
1: S/251.12
300En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM9D1822S-60PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D1822S-60PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP

Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

S/251.12

S/196.42

Envase tipo carrete

S/186.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

65 V

1.8 GHz to 2.2 GHz

28.3 dB

45.4 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

OMP-780-16G-1-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP

BLM9D2327S-50PBGY
Ampleon
1: S/261.48
100En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM9D2327S-50PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D2327S-50PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP

Hoja de datos

100En existencias

Cinta cortada

S/261.48

S/204.59

Envase tipo carrete

S/194.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

65 V

2.3 GHz to 2.7 GHz

29.5 dB

44 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

OMP-780-16G-1-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP

BLM9H0610S-60PGY
Ampleon
1: S/221.62
205En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM9H0610S-60PGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9H0610S-60PGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP

Hoja de datos

205En existencias

Cinta cortada

S/221.62

S/172.22

Envase tipo carrete

S/162.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

48 V

600 MHz to 1 GHz

35.5 dB

45.3 dBm

+ 125 C

SMD/SMT

OMP-780-16G-1-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30/TO270/REEL

BLP0408H9S30XY
Ampleon
1: S/156.31
100En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP0408H9S30XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0408H9S30XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30/TO270/REEL

Hoja de datos

100En existencias

Cinta cortada

S/156.31

S/135.79

Envase tipo carrete

S/118.72

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

50 V

1.2 Ohms

400 MHz to 860 MHz

20.2 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20/TO270/REEL

BLP0427M9S20XY
Ampleon
1: S/113.56
100En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP0427M9S20XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0427M9S20XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20/TO270/REEL

Hoja de datos

100En existencias

Cinta cortada

S/113.56

S/94.90

Envase tipo carrete

S/78.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

500 mOhms

400 MHz to 2.7 GHz

19 dB

20 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
107 mOhms, 155 mOhms
110 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
30 MHz to 860 MHz
100 MHz to 2.7 GHz
400 MHz to 2.7 GHz
400 MHz to 800 MHz
400 MHz to 860 MHz
423 MHz to 443 MHz
520 MHz
600 MHz to 1 GHz
600 MHz to 800 MHz
600 MHz to 960 MHz
616 MHz to 960 MHz
617 MHz to 960 MHz
700 MHz

11 dB
12 dB
13 dB
14 dB
14.4 dB
14.5 dB
15 dB
15.7 dB
16 dB
17 dB
17.5 dB
17.6 dB
17.8 dB
18 dB
18.3 dB
18.4 dB
18.5 dB
18.6 dB
18.8 dB
19 dB

5 W
8 W
10 W
12 W
16 W
20 W
25 W
30 W
35 W
39.2 dBm
39.6 dBm
40 dBm
40.5 dBm
40.9 dBm
41.5 dBm
42 dBm
44 dBm
44.8 dBm
45.1 W
45.3 dBm

ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
DFN-6
LGA-20
LGA-34
OMP-1230-4F-1-5
OMP-1230-4G-1-5
OMP-1230-6F-1-7
OMP-1230-6F-2-7
OMP-400-8F-1-8
OMP-780-16G-1-16
OMP-780-4F-1-4
OMP-780-4F-1-5
OMP-780-4G-1-4
OMP-780-6F-1-7
QFN-20
QFN-36
SOT1121A-5
SOT-1121A-5