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BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 69.4 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-BM3G005MUV-LBE2

Fabricante N.º:

BM3G005MUV-LBE2

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

GaN FETs PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

Ciclo de vida:

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	S/69.40	S/69.40
	S/53.71	S/537.10
	S/48.89	S/4,889.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/44.25	S/44,250.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-46
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	68.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	70 mOhms
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	Nano Cap; EcoGaN
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	2.7 ns
Frecuencia de trabajo máxima:	2 MHz
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN HEMT Power Stage
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.