Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
XP4N2R1MT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
XP4N2R5MT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252
XP4N4R2H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
XP4NA1R4CMT-A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
XP4NAR95CMT-A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
XP60PN72REN
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
XP60SA290DH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262
XP60SL115DR
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999 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM
XP65SL190DI
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N.º de artículo de Mouser 603-XP65SL190DI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM
835 En existencias
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S/14.49
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
2,960 En existencias
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S/12.56
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1,000
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S/4.34
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Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
XP6NA3R5IT
YAGEO XSemi
1:
S/7.22
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N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA3R5IT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
996 En existencias
1
S/7.22
10
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100
S/2.56
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S/2.27
1,000
S/2.04
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252
XP6NA6R5H
YAGEO XSemi
1:
S/4.64
2,978 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA6R5H
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252
2,978 En existencias
1
S/4.64
10
S/2.92
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S/1.48
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S/1.16
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1,000
S/1.37
6,000
S/1.11
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252
XP70SL1K4AH
YAGEO XSemi
1:
S/5.20
2,975 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP70SL1K4AH
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252
2,975 En existencias
1
S/5.20
10
S/3.26
100
S/2.15
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S/1.67
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S/1.32
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1,000
S/1.54
6,000
S/1.29
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
XP8NA2R2CXT
YAGEO XSemi
1:
S/11.01
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP8NA2R2CXT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
3,000 En existencias
1
S/11.01
10
S/7.10
100
S/4.86
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S/3.90
1,000
S/3.77
3,000
S/3.62
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Carrete :3,000
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Interruptores de acción básicos / a presión Door switch
360°
XP2Z11
Saia-Burgess
1:
S/29.97
507 En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
XP2Z11
N.º de artículo de Mouser 906-XP2Z11
Saia-Burgess
Interruptores de acción básicos / a presión Door switch
507 En existencias
1,004 En pedido
1
S/29.97
10
S/29.93
800
S/21.72
2,400
S/20.98
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Min.: 1 Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
1:
S/10.62
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
1,000 En existencias
1
S/10.62
10
S/5.20
100
S/4.64
500
S/3.74
1,000
S/3.44
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
XP6NA2R4IT
YAGEO XSemi
1:
S/11.27
988 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA2R4IT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
988 En existencias
1
S/11.27
10
S/5.55
100
S/4.95
500
S/4.01
1,000
S/3.75
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S
XP2N075EN
YAGEO XSemi
1:
S/1.08
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP2N075EN
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S
3,000 En existencias
1
S/1.08
10
S/0.649
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6,000
Ver
1,000
S/0.275
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S/0.194
9,000
S/0.159
24,000
S/0.155
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S
XP2P052N
YAGEO XSemi
1:
S/1.33
2,400 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP2P052N
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S
2,400 En existencias
1
S/1.33
10
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S/0.378
3,000
S/0.237
6,000
Ver
1,000
S/0.348
6,000
S/0.219
9,000
S/0.206
24,000
S/0.198
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
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