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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV

STL4LN80K5
STMicroelectronics
3,000: S/2.76
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STL4LN80K5

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511-STL4LN80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.45 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

STL5N80K5
STMicroelectronics
3,000: S/3.34
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STL5N80K5

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511-STL5N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.45 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

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S/3.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

STO33N60M6
STMicroelectronics
1,800: S/9.59
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STO33N60M6

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511-STO33N60M6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

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S/9.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET

STO47N60M6
STMicroelectronics
1,800: S/12.43
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STO47N60M6

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511-STO47N60M6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET

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S/12.43

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: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V

STP11N65M5
STMicroelectronics
1: S/10.75
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STP11N65M5

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511-STP11N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V

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S/10.75

S/5.29

S/4.77

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S/3.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package

STP13N65M2
STMicroelectronics
1,000: S/3.53
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STP13N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS

STP15N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.24
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STP15N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5

STP21N65M5
STMicroelectronics
1: S/22.40
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STP21N65M5

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511-STP21N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5

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S/22.40

S/11.70

S/10.66

S/9.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP33N60DM6
STMicroelectronics
1: S/19.74
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STP33N60DM6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/19.74

S/13.07

S/9.29

S/8.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP35N60DM2
STMicroelectronics
1,000: S/8.04
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STP35N60DM2

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S/8.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP40N65M2
STMicroelectronics
1,000: S/11.74
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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STP40N65M2

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511-STP40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/11.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STP45N60DM2AG
STMicroelectronics
1,000: S/12.56
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

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STP45N60DM2AG

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511-STP45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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S/12.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP4LN80K5
STMicroelectronics
2,000: S/2.84
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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STP4LN80K5

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511-STP4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/2.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5

STP7N80K5
STMicroelectronics
1: S/12.34
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5

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S/12.34

S/6.11

S/5.50

S/4.47

S/4.19

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package

STW10N105K5
STMicroelectronics
1: S/20.81
Plazo de entrega 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW10N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package

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S/20.81

S/11.61

S/8.60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)

STW19NM60N
STMicroelectronics
543: S/7.18
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

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STW19NM60N

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511-STW19NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)

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S/7.18

S/5.68

Min.: 543
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW48N60M6
STMicroelectronics
600: S/14.32
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW48N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW48N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/14.32

Min.: 600
Mult.: 600

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW50N65DM6
STMicroelectronics
600: S/19.01
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW50N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW50N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/19.01

Min.: 600
Mult.: 600

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW56N65M2
STMicroelectronics
1: S/41.45
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW56N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW56N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/41.45

S/24.55

S/20.55

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag

STW56N65M2-4
STMicroelectronics
600: S/24.12
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW56N65M2-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW56N65M2-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag

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S/24.12

Min.: 600
Mult.: 600

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW68N60M6-4
STMicroelectronics
600: S/29.07
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW68N60M6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW68N60M6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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S/29.07

Min.: 600
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW68N65DM6
STMicroelectronics
600: S/25.59
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW68N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW68N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/25.59

Min.: 600
Mult.: 600

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N65DM6
STMicroelectronics
1: S/65.62
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW70N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/65.62

S/52.59

S/49.67

S/35.56

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW75N60M6-4
STMicroelectronics
600: S/25.71
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW75N60M6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60M6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/25.71

Min.: 600
Mult.: 600

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 long lead

STWA12N120K5
STMicroelectronics
600: S/28.72
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STWA12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 long lead

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/28.72

Min.: 600
Mult.: 600

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