.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MDmesh Semiconductores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores

Lista Imágenes

Resultados: 670

Filtros aplicados:

Nombre comercial = MDmesh

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB33N60DM6
STMicroelectronics
1,000: S/8.08
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.08

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB33N60M6
STMicroelectronics
1,000: S/9.63
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.63

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

STB34N65M5
STMicroelectronics
1,000: S/13.07
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/13.07

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

STB35N65DM2
STMicroelectronics
1: S/23.09
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB35N65DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB35N65DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/23.09

S/15.74

S/11.31

S/10.92

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB35N65M5
STMicroelectronics
1,000: S/15.70
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB35N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB35N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/15.70

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

STB43N60DM2
STMicroelectronics
1,000: S/12.21
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.21

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB46N60M6
STMicroelectronics
1,000: S/15.65
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB46N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB46N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/15.65

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB50N65DM6
STMicroelectronics
1,000: S/16.00
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB50N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STB50N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/16.00

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60M6
STMicroelectronics
2,500: S/3.13
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.13

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60M6
STMicroelectronics
2,500: S/3.00
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD11N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.00

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD12N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.34
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

Cinta cortada

S/8.34

S/5.33

S/3.57

S/2.85

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60M6
STMicroelectronics
2,500: S/5.76
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.76

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N60M6
STMicroelectronics
2,500: S/3.85
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.85

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3

STD4N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.51
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD4N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD4N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

Cinta cortada

S/8.51

S/5.42

S/3.60

S/2.95

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

STD4N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.86
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD4N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

Cinta cortada

S/8.86

S/5.68

S/3.83

S/3.04

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N60DM2
STMicroelectronics
2,500: S/2.49
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD7N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.49

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 780 mOhm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N60M6
STMicroelectronics
2,500: S/2.73
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD7N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 780 mOhm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.73

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD9N65M2
STMicroelectronics
1: S/8.90
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD9N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD9N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/8.90

S/5.72

S/3.86

S/3.07

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 730 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD9N80K5
STMicroelectronics
1: S/12.64
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD9N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD9N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 730 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/12.64

S/8.17

S/5.85

S/4.90

S/4.22

Envase tipo carrete

S/4.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF20N60M2-EP
STMicroelectronics
1,000: S/3.84
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF20N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/3.84

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

STF22N60DM6
STMicroelectronics
1: S/14.75
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF22N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STF22N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/14.75

S/9.59

S/7.35

S/6.15

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF22N60M6
STMicroelectronics
1: S/14.58
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF22N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF22N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/14.58

S/9.50

S/7.27

S/6.11

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

STF26N60DM6
STMicroelectronics
1,000: S/7.05
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/7.05

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF33N60DM6
STMicroelectronics
1: S/21.11
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF33N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STF33N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/21.11

S/11.40

S/10.41

S/8.60

S/8.34

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF33N60M6
STMicroelectronics
1,000: S/9.29
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/9.29

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MDmesh Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte