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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STI47N60DM6AG
STMicroelectronics
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STI47N60DM6AG

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STI6N90K5
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STP10LN80K5
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STP3LN80K5
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STP3N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STP5N95K5
STMicroelectronics
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STP7LN80K5
STMicroelectronics
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STU2N80K5
STMicroelectronics
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STU2N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3

STU4N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.39
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STU4N52K3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3

STU5N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.05
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STU5N62K3

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S/3.90

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STU5N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.91
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NRND

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STU5N80K5

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STU6N90K5
STMicroelectronics
1: S/11.61
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STU6N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STU9N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.00
127En existencias

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STU9N60M2

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511-STU9N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

STW25N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/17.80
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STW25N60M2-EP

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511-STW25N60M2-EP

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S/8.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 78 mOhm typ 34 A MDmesh M2 Power MOSFET

STW40N60M2-4
STMicroelectronics
1: S/39.09
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STW40N60M2-4

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511-STW40N60M2-4

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S/19.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N60DM6
STMicroelectronics
1: S/38.83
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STW70N60DM6

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511-STW70N60DM6

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S/38.83

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S/23.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW70N60DM6-4
STMicroelectronics
1: S/46.87
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW70N60DM6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60DM6-4

STMicroelectronics

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S/46.87

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S/26.57

S/24.68

S/23.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA48N60M2
STMicroelectronics
1: S/33.58
83En existencias

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STWA48N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STWA48N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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S/33.58

S/23.69

S/19.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET

STWA48N60M6
STMicroelectronics
1: S/43.52
16En existencias
NRND

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STWA48N60M6

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511-STWA48N60M6

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET

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S/33.02

S/27.52

S/24.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS

STF11N65M5
STMicroelectronics
1: S/11.22

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STF11N65M5

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511-STF11N65M5

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S/5.46

S/4.77

S/3.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh

STF18NM60N
STMicroelectronics
1: S/15.31

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STF18NM60N

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511-STF18NM60N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh

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S/7.10

S/5.81

S/5.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STP6N60M2
STMicroelectronics
1: S/4.69

N.º de artículo del Fabricante
STP6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

STF26N65DM2
STMicroelectronics
1: S/18.40
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N65DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N65DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

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1En existencias

S/18.40

S/12.08

S/9.07

S/8.04

S/7.14

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH

STB13NM60N
STMicroelectronics
1: S/23.09
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH

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Cinta cortada

S/23.09

S/17.03

S/12.34

S/12.13

Envase tipo carrete

S/10.79

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB22N60DM6
STMicroelectronics
1,000: S/6.32
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB22N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STB22N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

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Mult.: 1,000

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