Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
STI24N60M2
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S/12.77
205 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STI24N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
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1
S/12.77
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S/4.64
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
STB31N65M5
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S/24.34
N.º de artículo de Mouser 511-STB31N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
1
S/24.34
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB40N60M2
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S/25.28
N.º de artículo de Mouser 511-STB40N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1
S/25.28
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S/12.21
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S/12.04
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S/11.35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB47N50DM6AG
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S/28.42
N.º de artículo de Mouser 511-STB47N50DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STD16N60M6
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N.º de artículo de Mouser 511-STD16N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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S/11.05
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S/3.69
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S/3.69
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
STD3N95K5AG
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Plazo de entrega 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STD3N95K5AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
Plazo de entrega 16 Semanas
1
S/10.92
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S/7.05
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S/4.82
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S/3.78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
STE88N65M5
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N.º de artículo de Mouser 511-STE88N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF12N120K5
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S/49.84
N.º de artículo de Mouser 511-STF12N120K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
1
S/49.84
10
S/28.29
100
S/28.04
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
STF38N65M5
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S/27.82
N.º de artículo de Mouser 511-STF38N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
1
S/27.82
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S/13.55
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S/11.35
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S/11.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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S/9.20
10
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S/3.99
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S/2.97
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S/2.83
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
STL4N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
1
S/10.58
10
S/6.79
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S/3.74
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S/3.43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
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STW56N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
1,198 En pedido
1
S/35.35
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S/20.77
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S/17.46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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STW56N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1
S/38.49
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S/22.58
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S/19.57
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
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STW78N65M5
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S/57.23
N.º de artículo de Mouser 511-STW78N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
STD4N62K3
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N.º de artículo de Mouser 511-STD4N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
26 En existencias
1
S/11.35
10
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S/5.07
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S/4.05
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S/3.77
2,500
S/3.77
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
STF11N60M2-EP
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1:
S/9.50
864 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF11N60M2-EP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
864 En existencias
1
S/9.50
10
S/6.11
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S/4.13
500
S/3.29
1,000
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1,000
S/3.01
2,000
S/2.81
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF12N50M2
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1:
S/9.07
173 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF12N50M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
173 En existencias
1
S/9.07
10
S/4.17
100
S/3.74
500
S/3.00
1,000
Ver
1,000
S/2.87
2,000
S/2.78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
STF15N80K5
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1:
S/19.09
14 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF15N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
14 En existencias
1
S/19.09
10
S/11.44
100
S/8.64
500
S/7.35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF17N80K5
STMicroelectronics
1:
S/22.32
291 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF17N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
291 En existencias
1
S/22.32
10
S/11.65
100
S/10.58
500
S/9.20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
STF18N65M2
STMicroelectronics
1:
S/13.85
641 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF18N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
641 En existencias
1
S/13.85
10
S/6.71
100
S/5.89
500
S/4.95
1,000
Ver
1,000
S/4.64
2,000
S/4.47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
STF22NM60N
STMicroelectronics
1:
S/23.52
431 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF22NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
431 En existencias
1
S/23.52
10
S/15.31
100
S/12.69
500
S/10.84
1,000
Ver
1,000
S/10.23
2,000
S/9.12
10,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 33A MDMESH
STF42N65M5
STMicroelectronics
1:
S/37.54
31 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF42N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 33A MDMESH
31 En existencias
1
S/37.54
10
S/29.37
100
S/25.11
500
S/22.79
1,000
S/22.27
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
STFH13N60M2
STMicroelectronics
1:
S/13.55
945 En existencias
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser 511-STFH13N60M2
Verificar estado con la fábrica
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
945 En existencias
1
S/13.55
10
S/5.29
100
S/4.86
920
S/4.82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU13N65M2
STMicroelectronics
1:
S/10.23
936 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFU13N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
936 En existencias
1
S/10.23
10
S/5.03
100
S/4.52
500
S/3.59
1,000
Ver
1,000
S/3.30
2,000
S/3.19
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
STI24NM60N
STMicroelectronics
1:
S/20.81
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STI24NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
1 En existencias
1
S/20.81
10
S/13.12
100
S/12.00
500
S/10.97
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Perú
