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MDmesh Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STW28N60M2
STMicroelectronics
1: S/16.47
57En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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S/16.47

S/10.19

S/7.27

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW30N80K5
STMicroelectronics
1: S/37.93
32En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW30N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW30N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/37.93

S/25.97

S/19.57

S/19.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STW31N65M5
STMicroelectronics
1: S/21.63
600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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S/21.63

S/14.19

S/9.93

S/9.25

S/8.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW33N60M6
STMicroelectronics
1: S/25.11
222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M6

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511-STW33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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222En existencias

S/25.11

S/17.50

S/12.64

S/11.70

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

STW34NM60N
STMicroelectronics
1: S/37.50
98En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW34NM60N

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511-STW34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

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S/37.50

S/25.16

S/24.77

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW35N65DM2
STMicroelectronics
1: S/25.20
118En existencias
124En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW35N65DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW35N65DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

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118En existencias

124En pedido

S/25.20

S/17.54

S/12.69

S/11.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STW45N65M5
STMicroelectronics
1: S/35.43
278En existencias

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STW45N65M5

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511-STW45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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S/35.43

S/21.89

S/19.39

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW48N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.70
561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48N60M2

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511-STW48N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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561En existencias

S/22.70

S/12.77

S/9.72

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW65N80K5
STMicroelectronics
1: S/65.40
145En existencias

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STW65N80K5

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511-STW65N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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145En existencias

S/65.40

S/40.12

S/39.04

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N60DM2
STMicroelectronics
1: S/46.87
140En existencias

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STW70N60DM2

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511-STW70N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

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140En existencias

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S/46.87

S/27.99

S/25.37

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW70N65DM6-4
STMicroelectronics
1: S/65.10
581En existencias
588En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW70N65DM6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N65DM6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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581En existencias

588En pedido

S/65.10

S/46.87

S/39.73

S/37.84

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW75N60DM6
STMicroelectronics
1: S/44.38
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW75N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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280En existencias

S/44.38

S/33.20

S/27.26

S/24.85

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l

STWA40N95DK5
STMicroelectronics
1: S/66.26
95En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STWA40N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l

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S/66.26

S/40.72

S/39.73

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

STY139N65M5
STMicroelectronics
1: S/138.55
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY139N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STY139N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

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47En existencias

Más información disponible

S/138.55

S/106.00

S/103.29

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD3N65M6
STMicroelectronics
1: S/7.18
2,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N65M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N65M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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2,441En existencias

Cinta cortada

S/7.18

S/4.56

S/3.03

S/2.49

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP14N80K5
STMicroelectronics
1: S/18.58
89En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP14N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Hoja de datos

89En existencias

S/18.58

S/12.21

S/9.16

S/8.13

S/7.18

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW48N60M6-4
STMicroelectronics
1: S/39.47
48En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48N60M6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW48N60M6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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48En existencias

S/39.47

S/28.72

S/23.95

S/19.91

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STW68N65DM6-4AG
STMicroelectronics
1: S/56.12
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW68N65DM6-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW68N65DM6-4AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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7En existencias

S/56.12

S/34.49

S/31.39

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF24N60M6
STMicroelectronics
1: S/15.78
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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1En existencias

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S/15.78

S/8.34

S/7.35

S/6.19

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STF45N65M5
STMicroelectronics
1: S/34.19

N.º de artículo del Fabricante
STF45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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S/34.19

S/18.58

S/17.07

S/16.94

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF16N50M2
STMicroelectronics
1: S/9.89
668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N50M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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668En existencias

S/9.89

S/8.51

S/6.71

S/5.38

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF16N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.01
357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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357En existencias

S/11.01

S/6.06

S/4.77

S/3.73

S/3.45

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.27
221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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Hoja de datos

221En existencias

S/11.27

S/5.55

S/4.99

S/4.00

S/3.74

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF18N60M6
STMicroelectronics
1: S/12.43
158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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158En existencias

S/12.43

S/7.10

S/6.41

S/4.29

S/4.11

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

STF4N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.33
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF4N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

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707En existencias

S/9.33

S/4.52

S/4.05

S/3.23

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Mult.: 1

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