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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STP28N60M2
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STP28N60M2

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511-STP28N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N65M2
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STP33N60M2
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STP33N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N65M2
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1: S/19.65
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STP33N65M2

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511-STP33N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP43N60DM2
STMicroelectronics
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STP43N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

STP4N52K3
STMicroelectronics
1: S/6.54
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STP4N52K3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

STP4N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.50
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STP4N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP50N60DM6
STMicroelectronics
1: S/27.43
199En existencias

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STP50N60DM6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP5N105K5
STMicroelectronics
1: S/13.93
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STP5N105K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP5N80K5
STMicroelectronics
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STP5N80K5

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S/4.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP6N80K5
STMicroelectronics
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STP6N80K5

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511-STP6N80K5

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S/7.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STP6N95K5
STMicroelectronics
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STP6N95K5

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511-STP6N95K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP7N90K5
STMicroelectronics
1: S/13.07
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STP7N90K5

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511-STP7N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N240K6
STMicroelectronics
1: S/26.70
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STP80N240K6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

STP8NM50N
STMicroelectronics
1: S/13.29
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STP8NM50N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP9N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.89
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STP9N65M2

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511-STP9N65M2

STMicroelectronics

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/7.48
648En existencias

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STU3LN80K5

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511-STU3LN80K5

STMicroelectronics

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW12N150K5
STMicroelectronics
1: S/36.55
334En existencias
600En pedido

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STW12N150K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW12N150K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW18N60M2
STMicroelectronics
1: S/16.04
379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/16.04

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S/6.02

S/5.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 275 mOhm typ., 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW20N95DK5
STMicroelectronics
1: S/26.14
446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STW20N95DK5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 275 mOhm typ., 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/26.14

S/15.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW23N80K5
STMicroelectronics
1: S/27.65
242En existencias

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STW23N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW23N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/27.65

S/16.08

S/12.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STW24N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.05
806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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S/15.05

S/8.21

S/6.71

S/5.59

S/4.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

STW25N80K5
STMicroelectronics
1: S/30.10
343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW25N80K5

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511-STW25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

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343En existencias

S/30.10

S/17.33

S/14.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW26N60M2
STMicroelectronics
1: S/17.72
264En existencias

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STW26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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264En existencias

S/17.72

S/11.65

S/8.26

S/6.84

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

STW27N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/17.33
393En existencias

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STW27N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STW27N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

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393En existencias

S/17.33

S/9.55

S/6.71

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