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MDmesh Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

STF8N80K5
STMicroelectronics
1: S/13.93
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STF8N80K5

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511-STF8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

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S/5.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

STFH18N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.94
504En existencias

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STFH18N60M2

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511-STFH18N60M2

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S/7.48

S/5.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

STFH24N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.37
814En existencias

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STFH24N60M2

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511-STFH24N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

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S/9.37

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S/5.46

S/4.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

STFU24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.72
584En existencias

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STFU24N60M2

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511-STFU24N60M2

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S/13.72

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S/6.19

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge

STFW12N120K5
STMicroelectronics
1: S/50.40
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STFW12N120K5

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511-STFW12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge

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S/50.40

S/35.22

S/28.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW38N65M5
STMicroelectronics
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STFW38N65M5

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511-STFW38N65M5

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S/27.31

S/20.94

S/14.92

S/13.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/27.69
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STFW40N60M2

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511-STFW40N60M2

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S/15.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW8N120K5
STMicroelectronics
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STFW8N120K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

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S/23.18

S/16.30

S/14.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ., 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL3N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.11
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STL3N65M2

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511-STL3N65M2

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S/1.60

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV

STL7N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.10
2,407En existencias
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STL7N60M2

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S/7.10

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S/1.98

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL9N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.68
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STL9N60M2

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511-STL9N60M2

STMicroelectronics

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S/3.18

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S/3.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

STN6N60M2
STMicroelectronics
1: S/4.30
3,421En existencias

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STN6N60M2

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511-STN6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

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S/0.985

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP10N105K5
STMicroelectronics
1: S/18.66
433En existencias

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STP10N105K5

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511-STP10N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

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S/18.66

S/9.68

S/8.77

S/7.22

S/7.18

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STP11NM60
STMicroelectronics
1: S/21.97
257En existencias

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STP11NM60

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511-STP11NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

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S/21.97

S/11.57

S/10.75

S/8.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP12N50M2
STMicroelectronics
1: S/9.46
438En existencias

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STP12N50M2

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511-STP12N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/9.46

S/4.60

S/4.11

S/3.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STP13N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.55
987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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S/9.55

S/4.90

S/4.17

S/3.38

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

STP13N80K5
STMicroelectronics
1: S/17.42
33En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP13N80K5

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511-STP13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

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S/17.42

S/8.90

S/8.08

S/6.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh

STP13NM60N
STMicroelectronics
1: S/21.67
632En existencias

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STP13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh

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S/21.67

S/11.27

S/10.28

S/9.12

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STP16N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.47
375En existencias
1,000En pedido

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STP16N65M5

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511-STP16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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S/16.47

S/8.39

S/7.57

S/6.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

STP18N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.30
627En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

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S/16.30

S/8.56

S/7.74

S/6.36

S/5.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

STP18NM60N
STMicroelectronics
1: S/14.58
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

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S/14.58

S/6.71

S/6.15

S/5.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STP20NM50
STMicroelectronics
1: S/27.18
149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM50

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511-STP20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

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S/27.18

S/14.62

S/13.07

S/13.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch

STP23NM50N
STMicroelectronics
1: S/25.50
209En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch

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S/25.50

S/15.82

S/14.02

S/11.05

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/15.35
491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP25N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STP25N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

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491En existencias

S/15.35

S/7.96

S/7.18

S/5.89

S/5.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP26N60DM6
STMicroelectronics
1: S/19.57
486En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP26N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP26N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/19.57

S/12.94

S/7.96

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