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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STB18NM80
STMicroelectronics
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STB18NM80

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511-STB18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm

STB20N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.32
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STB20N65M5

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511-STB20N65M5

STMicroelectronics

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S/18.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STB20NM60T4
STMicroelectronics
1: S/21.76
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STB20NM60T4

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511-STB20NM60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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S/21.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB21N65M5
STMicroelectronics
1: S/22.02
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STB21N65M5

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511-STB21N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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S/22.02

S/15.82

S/11.35

S/11.01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/18.32
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STB28N60DM2

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511-STB28N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/12.08

S/8.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB5N80K5
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S/7.78

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB6N80K5
STMicroelectronics
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S/7.78

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

STB8N65M5
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STD11N50M2
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STD11N60DM2
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

STD11N65M5
STMicroelectronics
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STD11N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50M2
STMicroelectronics
1: S/8.94
676En existencias

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STD12N50M2

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S/2.67

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.42
412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N65M2

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511-STD12N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.42

S/6.02

S/4.09

S/3.26

S/3.13

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S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

STD14NM50NAG
STMicroelectronics
1: S/10.19
1,063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD14NM50NAG

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511-STD14NM50NAG

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S/10.19

S/6.45

S/4.60

S/3.75

S/3.73

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S/3.60

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60DM6
STMicroelectronics
1: S/12.04
711En existencias

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STD15N60DM6

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511-STD15N60DM6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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S/12.04

S/7.83

S/5.38

S/4.43

S/4.34

Envase tipo carrete

S/4.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: S/9.63
612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N60M6

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511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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Cinta cortada

S/9.63

S/6.19

S/4.22

S/3.37

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/7.83
1,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/7.83

S/4.99

S/3.34

S/2.64

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4LN80K5
STMicroelectronics
1: S/9.20
915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.20

S/5.89

S/3.99

S/3.18

S/2.97

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S/2.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD5N60DM2
STMicroelectronics
1: S/5.72
1,311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Cinta cortada

S/5.72

S/3.59

S/2.37

S/1.92

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

STD6N52K3
STMicroelectronics
1: S/7.83
830En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

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830En existencias

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S/7.83

S/4.99

S/3.35

S/2.65

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N65M2
STMicroelectronics
1: S/8.51
943En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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943En existencias

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S/8.51

S/5.46

S/3.78

S/3.20

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

STD7N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.35
821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

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821En existencias

Cinta cortada

S/11.35

S/6.84

S/4.95

S/4.05

S/3.99

Envase tipo carrete

S/3.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N90K5
STMicroelectronics
1: S/13.89
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/13.89

S/9.07

S/6.28

S/5.68

S/5.07

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

STD7NM80
STMicroelectronics
1: S/19.14
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7NM80

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511-STD7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

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708En existencias

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S/19.14

S/12.77

S/9.12

S/8.43

S/7.74

Envase tipo carrete

S/7.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

STD8NM50N
STMicroelectronics
1: S/12.64
987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD8NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

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S/12.64

S/8.21

S/5.68

S/4.73

S/4.60

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S/4.39

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