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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

STB13N80K5
STMicroelectronics
1: S/22.58
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STB13N80K5

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511-STB13N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB16N90K5
STMicroelectronics
1: S/25.41
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STB16N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STB18N65M5
STMicroelectronics
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STB18N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STB20N95K5
STMicroelectronics
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STB20N95K5

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511-STB20N95K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STB25N80K5
STMicroelectronics
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STB25N80K5

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511-STB25N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STB28NM50N
STMicroelectronics
1: S/33.45
922En existencias

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STB28NM50N

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511-STB28NM50N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: S/20.60
1,387En existencias

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STB33N60M2

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511-STB33N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB36N60M6
STMicroelectronics
1: S/27.69
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STB36N60M6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB37N60DM2AG
STMicroelectronics
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2,045En existencias

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STB37N60DM2AG

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511-STB37N60DM2AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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S/16.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB41N40DM6AG
STMicroelectronics
1: S/31.22
1,389En existencias

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STB41N40DM6AG

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511-STB41N40DM6AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

STB42N65M5
STMicroelectronics
1: S/48.16
745En existencias

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STB42N65M5

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511-STB42N65M5

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S/48.16

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S/27.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in

STB43N65M5
STMicroelectronics
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2,102En existencias

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STB43N65M5

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511-STB43N65M5

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S/20.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package

STB45N30M5
STMicroelectronics
1: S/32.55
1,644En existencias

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STB45N30M5

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511-STB45N30M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package

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S/32.55

S/22.27

S/16.94

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S/15.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
1: S/32.21
1,419En existencias

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STB45N50DM2AG

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511-STB45N50DM2AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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S/32.21

S/21.93

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S/15.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STB57N65M5
STMicroelectronics
1: S/47.17
537En existencias

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STB57N65M5

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511-STB57N65M5

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S/47.17

S/32.68

S/27.39

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S/25.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

STB80N20M5
STMicroelectronics
1: S/25.50
2,004En existencias
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STB80N20M5

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511-STB80N20M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

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S/25.50

S/17.76

S/12.81

S/12.73

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S/11.87

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/15.61
2,249En existencias

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STD10LN80K5

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511-STD10LN80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/10.23

S/7.14

S/6.28

S/6.15

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S/5.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STD10N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.14
10,790En existencias

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STD10N60M2

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511-STD10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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S/7.14

S/4.52

S/3.01

S/2.40

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.90

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STD11NM50N
STMicroelectronics
1: S/12.51
1,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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S/12.51

S/8.08

S/5.81

S/4.86

S/4.60

Envase tipo carrete

S/4.18

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50DM2
STMicroelectronics
1: S/10.75
2,271En existencias
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STD12N50DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N50DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/10.75

S/6.88

S/4.77

S/4.03

Envase tipo carrete

S/3.37

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STD13N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.44
4,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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S/7.44

S/4.73

S/3.16

S/2.49

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.11

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N50M2
STMicroelectronics
1: S/9.50
2,836En existencias

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STD16N50M2

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511-STD16N50M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.50

S/6.11

S/4.14

S/3.30

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.97

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.64
5,923En existencias

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STD16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/8.64

S/5.55

S/3.73

S/2.96

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.63

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STD16N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.48
2,388En existencias

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STD16N65M5

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511-STD16N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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S/15.48

S/10.11

S/7.10

S/6.19

S/6.02

Envase tipo carrete

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

STD18N55M5
STMicroelectronics
1: S/16.21
2,318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

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S/7.44

S/6.58

S/6.45

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S/6.15

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