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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

STF14NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.82
1,605En existencias

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STF14NM50N

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511-STF14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

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S/19.82

S/9.25

S/8.73

S/8.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

STL21N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.62
2,692En existencias

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STL21N65M5

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511-STL21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

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S/18.62

S/14.62

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STU3N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.43
2,988En existencias

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STU3N62K3

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511-STU3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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S/8.43

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S/3.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A

STW19NM50N
STMicroelectronics
1: S/30.79
428En existencias

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STW19NM50N

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511-STW19NM50N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A

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S/30.79

S/17.20

S/14.53

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

STL31N65M5
STMicroelectronics
1: S/21.11
2,921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL31N65M5

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511-STL31N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

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S/21.11

S/14.02

S/10.54

S/9.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60-1
STMicroelectronics
1: S/14.66
1,997En existencias

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STD5NM60-1

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511-STD5NM60-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

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S/14.66

S/6.97

S/6.41

S/5.50

S/5.38

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STU3N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.04
2,731En existencias

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STU3N80K5

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511-STU3N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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S/3.60

S/3.28

S/2.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

STB22NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.89
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STB22NM60N

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511-STB22NM60N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

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S/13.89

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S/13.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp

STB8NM60T4
STMicroelectronics
1: S/18.10
919En existencias

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STB8NM60T4

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511-STB8NM60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp

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S/18.10

S/7.14

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S/7.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
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1,003En existencias
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Nuevo producto

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STF80N1K1K6

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511-STF80N1K1K6

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S/10.36

S/5.07

S/4.52

S/3.63

S/3.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N600K6
STMicroelectronics
1: S/13.80
1,043En existencias
Nuevo producto

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STF80N600K6

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511-STF80N600K6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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S/13.80

S/6.92

S/6.79

S/5.68

S/4.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB20N90K5
STMicroelectronics
1: S/31.18
5,329En existencias

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STB20N90K5

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511-STB20N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/31.18

S/21.11

S/15.87

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S/14.79

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: 1,000

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

STE145N65M5
STMicroelectronics
1: S/124.70
790En existencias
200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE145N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5

STMicroelectronics

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

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S/124.70

S/96.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

STH2N120K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/22.45
6,837En existencias
2,000En pedido

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STH2N120K5-2AG

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511-STH2N120K5-2AG

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S/22.45

S/14.96

S/10.71

S/10.23

Envase tipo carrete

S/9.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

STW88N65M5
STMicroelectronics
1: S/69.36
4,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

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S/69.36

S/42.79

S/42.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

STO36N60M6
STMicroelectronics
1: S/25.93
482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STO36N60M6

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511-STO36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

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S/25.93

S/17.37

S/12.51

S/12.38

S/11.61

Envase tipo carrete

S/11.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package

STW35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.74
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2

STMicroelectronics

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382En existencias

S/23.74

S/13.46

S/10.19

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU15N80K5
STMicroelectronics
1: S/13.37
689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

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S/13.37

S/8.94

S/8.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA75N60DM6
STMicroelectronics
1: S/44.16
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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S/44.16

S/30.92

S/23.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

STF2N62K3
STMicroelectronics
1: S/9.98
1,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF2N62K3

STMicroelectronics

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S/9.98

S/3.32

S/3.30

S/2.97

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF25N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/14.45
841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF25N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF25N60M2-EP

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S/14.45

S/7.87

S/7.14

S/5.81

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

STU3N65M6
STMicroelectronics
1: S/7.96
2,440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STU3N65M6

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N65M6

NRND

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2,440En existencias

S/7.96

S/5.07

S/3.36

S/2.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.67
873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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873En existencias

S/13.67

S/7.01

S/6.32

S/5.12

S/4.77

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STB11NM60T4
STMicroelectronics
1: S/22.75
1,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

Hoja de datos

1,098En existencias

Cinta cortada

S/22.75

S/15.14

S/10.84

S/10.41

Envase tipo carrete

S/9.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STB11NM80T4
STMicroelectronics
1: S/34.74
1,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM80T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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1,412En existencias

Cinta cortada

S/34.74

S/23.82

S/18.45

Envase tipo carrete

S/17.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

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