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STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP8N90K5
STMicroelectronics
1: S/16.21
778En existencias

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STP8N90K5

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511-STP8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/16.21

S/8.43

S/7.61

S/6.24

S/6.02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

STU7N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.31
1,841En existencias

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STU7N80K5

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511-STU7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

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S/11.31

S/5.25

S/4.73

S/4.00

S/3.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/43.73
454En existencias

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STW58N65DM2AG

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511-STW58N65DM2AG

STMicroelectronics

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S/43.73

S/38.92

S/35.30

S/29.37

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STWA30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/31.26
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA30N65DM6AG

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511-STWA30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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340En existencias

S/31.26

S/18.75

S/14.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1: S/31.00
585En existencias

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STWA65N60DM6

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511-STWA65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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S/31.00

S/22.92

S/18.53

S/16.13

S/16.08

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA70N65DM6
STMicroelectronics
1: S/55.86
596En existencias
599En pedido

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STWA70N65DM6

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511-STWA70N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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S/55.86

S/47.52

S/41.11

S/36.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STB14NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.03
589En existencias

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STB14NM50N

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511-STB14NM50N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

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S/21.03

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S/9.93

S/9.37

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S/8.77

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF12N65M2
STMicroelectronics
1: S/10.06
1,048En existencias

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STF12N65M2

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511-STF12N65M2

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S/5.29

S/4.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.50
978En existencias

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STFU18N65M2

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511-STFU18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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S/13.50

S/6.75

S/6.11

S/4.95

S/4.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL16N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.03
1,440En existencias

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STL16N65M2

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511-STL16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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S/13.03

S/8.47

S/5.85

S/4.90

S/4.86

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S/4.47

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

STL52N60DM6
STMicroelectronics
1: S/30.53
1,501En existencias

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STL52N60DM6

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511-STL52N60DM6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

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S/30.53

S/21.72

S/16.51

S/14.62

S/13.55

Envase tipo carrete

S/12.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.88
1,774En existencias

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STP10N60M2

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511-STP10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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S/6.88

S/3.98

S/3.75

S/2.65

S/2.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
1: S/12.00
792En existencias

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STP24N60M6

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511-STP24N60M6

STMicroelectronics

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S/12.00

S/6.88

S/6.24

S/5.03

S/4.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N65M2
STMicroelectronics
1: S/20.98
709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

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709En existencias

S/20.98

S/11.74

S/8.56

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB18N60M6
STMicroelectronics
1: S/13.12
883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/13.12

S/8.08

S/6.06

S/5.12

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S/4.73

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Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/15.91
645En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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645En existencias

S/15.91

S/8.13

S/7.35

S/6.32

S/5.46

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.74
538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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538En existencias

S/23.74

S/13.12

S/12.00

S/10.75

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STF6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.00
1,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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S/8.00

S/4.08

S/3.65

S/2.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

STF6N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.04
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

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S/12.04

S/5.98

S/4.69

S/4.12

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU10N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.21
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU10N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU10N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

976En existencias

S/16.21

S/10.58

S/8.30

S/6.97

S/6.02

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

STL38N65M5
STMicroelectronics
1: S/27.31
2,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

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S/27.31

S/19.39

S/14.28

S/14.23

S/13.33

Envase tipo carrete

S/13.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/31.26
2,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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2,682En existencias

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S/31.26

S/21.24

S/16.04

S/15.95

S/14.84

Envase tipo carrete

S/14.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

STQ2LN60K3-AP
STMicroelectronics
1: S/3.87
3,913En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STQ2LN60K3-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ2LN60K3AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

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3,913En existencias

4,000En pedido

S/3.87

S/2.40

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.907

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW13N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.29
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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503En existencias

S/21.29

S/11.27

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

STB23NM50N
STMicroelectronics
1: S/20.77
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

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S/20.77

S/16.21

S/11.61

S/11.31

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S/10.58

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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