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STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

STFH24N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.37
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFH24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFH24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

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918En existencias

S/9.37

S/6.02

S/5.46

S/4.99

S/4.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

STI20N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.56
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STI20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

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958En existencias

S/16.56

S/8.08

S/6.58

S/6.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: S/11.22
2,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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S/11.22

S/7.18

S/4.90

S/3.98

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

STL36N55M5
STMicroelectronics
1: S/26.57
2,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL36N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

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2,982En existencias

Cinta cortada

S/26.57

S/18.45

S/13.37

S/13.12

Envase tipo carrete

S/12.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STU10NM60N
STMicroelectronics
1: S/17.24
2,998En existencias
2,998En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STU10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

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2,998En existencias

2,998En pedido

S/17.24

S/11.27

S/8.82

S/7.40

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.30
808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU16N65M2

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511-STU16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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S/5.72

S/5.20

S/4.43

S/4.21

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N90K5
STMicroelectronics
1: S/18.71
659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N90K5

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511-STW8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/18.71

S/10.45

S/7.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

STY50N105DK5
STMicroelectronics
1: S/100.19
406En existencias

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STY50N105DK5

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511-STY50N105DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

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S/100.19

S/82.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

STB34NM60N
STMicroelectronics
1: S/45.37
970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB34NM60N

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511-STB34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

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S/45.37

S/31.65

S/26.32

S/26.27

Envase tipo carrete

S/24.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

STD5N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.04
1,401En existencias

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STD5N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

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S/8.04

S/5.12

S/3.45

S/2.73

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF11NM50N
STMicroelectronics
1: S/8.00
808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM50N

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511-STF11NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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S/8.00

S/6.49

S/6.24

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF12N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.30
2,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/8.30

S/3.99

S/3.55

S/2.83

S/2.31

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/14.06
1,166En existencias

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STF24N60DM2

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511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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S/14.06

S/7.65

S/6.75

S/5.93

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STF28N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.74
782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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782En existencias

S/15.74

S/7.70

S/7.05

S/6.32

S/6.06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STF9N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.51
1,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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1,816En existencias

S/8.51

S/3.83

S/3.01

S/2.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/21.37
1,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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1,617En existencias

Cinta cortada

S/21.37

S/20.43

S/16.00

S/14.23

S/12.17

Envase tipo carrete

S/8.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

STP19NM50N
STMicroelectronics
1: S/15.82
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

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644En existencias

S/15.82

S/10.02

S/9.46

S/8.99

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

STP31N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.75
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

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739En existencias

S/18.75

S/8.82

S/8.34

S/7.57

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

STW18N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.40
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

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687En existencias

S/18.40

S/9.42

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5

STD15N65M5
STMicroelectronics
1: S/12.77
989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD15N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5

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989En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.30

S/5.76

S/4.77

S/4.73

Envase tipo carrete

S/4.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD6N60DM2
STMicroelectronics
1: S/8.82
2,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

2,116En existencias

Cinta cortada

S/8.82

S/5.59

S/3.73

S/3.05

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF14N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.38
784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF14N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF14N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa

Hoja de datos

784En existencias

S/16.38

S/10.66

S/7.57

S/6.19

S/6.06

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF19NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.20
546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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546En existencias

S/21.20

S/10.92

S/10.36

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF4LN80K5
STMicroelectronics
1: S/9.85
1,852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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1,852En existencias

S/9.85

S/4.82

S/4.34

S/3.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP12N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.06
946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

Hoja de datos

946En existencias

S/10.06

S/5.03

S/4.43

S/3.54

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Mult.: 1

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