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STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

STB42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/26.62
1,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STB42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

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S/26.62

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S/12.86

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A

STD10NM60N
STMicroelectronics
1: S/10.75
3,663En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NM60N

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511-STD10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A

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S/10.75

S/8.04

S/6.45

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S/6.15

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a

STD3N95K5AG
STMicroelectronics
1: S/10.92
2,431En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N95K5AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N95K5AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a

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S/10.92

S/7.05

S/4.82

S/3.86

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.58

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF20N90K5
STMicroelectronics
1: S/31.82
801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF20N90K5

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511-STF20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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801En existencias

S/31.82

S/17.24

S/15.82

S/14.53

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh

STF24NM60N
STMicroelectronics
1: S/18.66
2,087En existencias

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STF24NM60N

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511-STF24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh

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S/18.66

S/8.43

S/7.96

S/7.44

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

STF33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/20.08
1,225En existencias

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STF33N60DM2

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511-STF33N60DM2

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S/20.08

S/10.49

S/9.55

S/8.60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU23N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.20
1,960En existencias

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STFU23N80K5

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511-STFU23N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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S/21.20

S/16.99

S/12.34

S/12.17

S/10.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.93
3,598En existencias
3,000En pedido

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STL12N60M2

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511-STL12N60M2

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S/6.41

S/4.34

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S/3.32

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S/3.06

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5

STL22N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.10
2,585En existencias

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STL22N65M5

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511-STL22N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5

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S/18.10

S/11.91

S/8.82

S/7.87

S/7.57

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S/6.97

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in

STL7LN65K5AG
STMicroelectronics
1: S/15.61
5,799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7LN65K5AG

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511-STL7LN65K5AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in

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S/15.61

S/10.23

S/7.14

S/6.28

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S/5.85

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

STL7N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.07
5,539En existencias

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STL7N80K5

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511-STL7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

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S/9.07

S/6.58

S/4.99

S/4.43

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S/4.22

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STP12NM50FP
STMicroelectronics
1: S/15.01
1,305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NM50FP

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511-STP12NM50FP

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

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S/15.01

S/10.19

S/9.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

STP20N65M5
STMicroelectronics
1: S/17.03
969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

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S/17.03

S/8.77

S/7.96

S/6.49

S/6.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

STW21N150K5
STMicroelectronics
1: S/57.49
811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW21N150K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW21N150K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

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811En existencias

S/57.49

S/34.83

S/31.09

S/30.92

S/28.90

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/45.06
397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW58N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW58N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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397En existencias

S/45.06

S/27.39

S/24.42

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/50.78
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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692En existencias

S/50.78

S/35.69

S/34.44

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50T4
STMicroelectronics
1: S/26.45
957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

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957En existencias

Cinta cortada

S/26.45

S/17.76

S/12.81

Envase tipo carrete

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

STB26NM60N
STMicroelectronics
1: S/33.80
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

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S/33.80

S/23.01

S/17.67

Envase tipo carrete

S/16.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N65M2
STMicroelectronics
1: S/18.58
1,962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/18.58

S/12.26

S/8.64

S/7.91

Envase tipo carrete

S/7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB30N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.97
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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S/29.97

S/20.21

S/15.05

S/15.01

Envase tipo carrete

S/14.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/31.99
939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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939En existencias

Cinta cortada

S/31.99

S/22.06

S/16.77

S/16.73

Envase tipo carrete

S/15.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60DM6
STMicroelectronics
1: S/11.40
2,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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S/11.40

S/7.65

S/5.46

S/4.47

S/4.22

Envase tipo carrete

S/3.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.21
2,534En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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Hoja de datos

2,534En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/12.21

S/7.91

S/5.46

S/4.47

Envase tipo carrete

S/4.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

STD2N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.99
2,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

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S/8.99

S/5.76

S/3.90

S/3.10

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD5N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.35
6,550En existencias
2,500En pedido

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STD5N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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S/7.35

S/4.69

S/3.11

S/2.46

S/2.24

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S/2.03

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