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STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD5N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.85
3,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.85

S/6.32

S/4.30

S/3.44

S/3.28

Envase tipo carrete

S/3.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II

STD9NM40N
STMicroelectronics
1: S/10.32
2,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9NM40N

N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM40N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II

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Cinta cortada

S/10.32

S/6.67

S/4.56

S/3.65

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.06
1,671En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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1,000En pedido

S/14.06

S/6.32

S/5.38

S/5.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.32
1,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI28N60M2

STMicroelectronics

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S/14.32

S/7.87

S/6.45

S/6.15

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
STMicroelectronics
1: S/49.97
2,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL57N65M5

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511-STL57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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Cinta cortada

S/49.97

S/34.79

S/30.75

S/30.23

S/28.64

Envase tipo carrete

S/28.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STP18NM80
STMicroelectronics
1: S/34.92
921En existencias

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STP18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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S/34.92

S/19.05

S/17.50

S/17.24

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STP20N95K5
STMicroelectronics
1: S/31.73
3,279En existencias

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STP20N95K5

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511-STP20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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S/31.73

S/16.25

S/15.27

S/14.41

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

STW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/21.80
1,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N60M2

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511-STW40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

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S/21.80

S/12.56

S/10.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW45N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/32.34
478En existencias

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STW45N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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S/32.34

S/19.52

S/15.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/31.52
660En existencias

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STW50N65DM2AG

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511-STW50N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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660En existencias

S/31.52

S/18.15

S/15.05

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STB13N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.30
1,784En existencias
2,000En pedido

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STB13N60M2

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511-STB13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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S/12.30

S/7.96

S/5.50

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.19

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4N90K5
STMicroelectronics
1: S/10.36
3,559En existencias

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STD4N90K5

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511-STD4N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/10.36

S/6.67

S/4.56

S/3.64

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Envase tipo carrete

S/3.34

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STF11NM80
STMicroelectronics
1: S/30.01
910En existencias

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STF11NM80

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511-STF11NM80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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S/30.01

S/14.71

S/13.93

S/13.80

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

STF15NM65N
STMicroelectronics
1: S/23.65
938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15NM65N

N.º de artículo de Mouser
511-STF15NM65N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

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S/23.65

S/12.43

S/11.05

S/9.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
1: S/17.11
8,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

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8,330En existencias

S/17.11

S/8.73

S/7.91

S/6.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

STF18NM80
STMicroelectronics
1: S/35.52
403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

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S/35.52

S/18.49

S/17.93

S/17.46

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

STF23N80K5
STMicroelectronics
1: S/26.19
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF23N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

Hoja de datos

795En existencias

S/26.19

S/13.89

S/12.69

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/9.03
3,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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3,153En existencias

S/9.03

S/4.39

S/3.90

S/3.10

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/19.09
1,082En existencias
1,000Se espera el 25/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF40N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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1,082En existencias

1,000Se espera el 25/05/2026

S/19.09

S/14.02

S/12.26

S/11.48

S/10.97

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60
STMicroelectronics
1: S/20.81
974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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974En existencias

S/20.81

S/14.23

S/13.67

S/13.46

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/31.82
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

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708En existencias

S/31.82

S/16.34

S/15.57

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/18.45
1,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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1,406En existencias

S/18.45

S/10.54

S/9.80

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/22.23
982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

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982En existencias

S/22.23

S/21.20

S/18.02

S/16.04

S/14.19

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP46N60M6
STMicroelectronics
1: S/31.82
990En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP46N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP46N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

990En existencias

1,000En pedido

S/31.82

S/22.49

S/19.69

S/15.61

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STU13N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.12
2,389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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2,389En existencias

S/9.12

S/4.12

S/3.71

S/3.12

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Mult.: 1

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