Infineon CoolMOS – Mouser Perú

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R070CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.61
700En existencias
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IPLT60R070CM8XTMA1

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726-IPLT60R070CM8XTM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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S/23.61

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S/9.37

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S/8.73

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R055CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.65
350En existencias
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IPLT60R055CM8XTMA1

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726-IPLT60R055CM8XTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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S/27.65

S/18.10

S/13.33

S/11.87

S/10.49

Envase tipo carrete

S/10.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R099CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.76
700En existencias
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IPLT60R099CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R099CM8XTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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S/11.57

S/9.03

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S/6.58

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW60R024CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.14
1,440En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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1,440En existencias

S/46.14

S/27.56

S/25.84

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.87
13,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Cinta cortada

S/15.87

S/10.36

S/8.08

S/6.79

Envase tipo carrete

S/5.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
1: S/19.74
916En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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916En existencias

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S/19.74

S/13.07

S/10.23

S/9.12

Envase tipo carrete

S/8.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7
Infineon Technologies
1: S/42.53
764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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764En existencias

S/42.53

S/33.28

S/27.74

S/24.68

S/23.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

IPB65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/11.05
1,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

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Cinta cortada

S/11.05

S/7.10

S/4.82

S/4.01

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S/3.52

S/3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
1: S/21.67
1,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80R290C3AATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80R290C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/21.67

S/17.33

S/12.90

S/12.47

Envase tipo carrete

S/11.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.89
7,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/13.89

S/8.99

S/6.41

S/5.33

S/4.99

Envase tipo carrete

S/4.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.26
7,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R380P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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S/8.26

S/5.29

S/3.57

S/2.83

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.57
27,761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/7.57

S/4.82

S/3.18

S/2.52

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
2,793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,793En existencias

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S/9.89

S/6.32

S/4.21

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.75

S/2.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
1: S/13.85
1,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPB21N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB21N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1,432En existencias

Cinta cortada

S/13.85

S/10.58

S/8.56

S/8.04

Envase tipo carrete

S/7.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
2,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,702En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.11

S/7.40

S/6.11

Envase tipo carrete

S/5.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
4,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

4,517En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.72

S/3.85

S/3.05

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.73
5,818En existencias
6,490En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

5,818En existencias

6,490En pedido

S/8.73

S/4.21

S/3.78

S/3.23

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6
Infineon Technologies
1: S/18.92
844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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844En existencias

S/18.92

S/12.64

S/9.72

S/8.60

S/7.65

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
33,407En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD02N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

33,407En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.67

S/2.58

S/2.06

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R099CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.16
797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R099CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R099CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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797En existencias

Cinta cortada

S/25.16

S/16.86

S/12.13

S/12.00

Envase tipo carrete

S/11.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

IPL60R210P6
Infineon Technologies
1: S/14.45
1,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R210P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R210P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

1,510En existencias

Cinta cortada

S/14.45

S/9.42

S/7.22

S/6.06

S/5.59

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.99
6,872En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R800CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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6,872En existencias

Cinta cortada

S/4.99

S/3.13

S/2.05

S/1.60

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6

IPI60R190C6
Infineon Technologies
1: S/14.88
1,254En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPI60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

1,254En existencias

S/14.88

S/7.53

S/6.79

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2

IPB65R150CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.66
1,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R150CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDAATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2

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1,000En existencias

Cinta cortada

S/22.66

S/15.05

S/10.75

S/9.76

Envase tipo carrete

S/9.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.03
3,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,193En existencias

Cinta cortada

S/13.03

S/8.34

S/5.68

S/4.73

S/4.39

Envase tipo carrete

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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