Infineon CoolMOS – Mouser Perú

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.42
1,531En existencias

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IPB60R080P7ATMA1

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726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/24.42

S/15.91

S/12.47

S/10.45

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S/9.68

S/9.07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.72
1,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/28.72

S/18.83

S/13.85

S/12.69

Envase tipo carrete

S/10.92

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Min.: 1
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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.90
1,235En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

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726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/20.90

S/13.72

S/10.71

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S/7.74

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.67
6,345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

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726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/17.67

S/11.57

S/8.43

S/7.35

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S/6.75

S/6.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.20
4,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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S/17.20

S/11.27

S/7.91

S/7.10

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S/6.28

Min.: 1
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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.40
6,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/11.40

S/7.31

S/5.03

S/4.04

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S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.91
702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/35.91

S/28.77

S/23.26

S/21.29

Envase tipo carrete

S/18.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/29.28
1,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/29.28

S/19.65

S/14.19

S/12.86

Envase tipo carrete

S/12.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.53
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

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S/30.53

S/19.95

S/14.88

S/13.59

Envase tipo carrete

S/12.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.19
2,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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2,513En existencias

Cinta cortada

S/14.19

S/9.25

S/6.45

S/5.42

Envase tipo carrete

S/4.95

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Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.39
8,868En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

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726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

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S/8.39

S/5.38

S/3.59

S/2.84

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
3,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R380CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.01

S/4.47

S/2.95

S/2.31

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.77

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.72
3,806En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,806En existencias

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S/13.72

S/8.90

S/6.67

S/5.38

S/5.07

Envase tipo carrete

S/4.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: S/13.12
2,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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2,674En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.51

S/5.93

S/4.82

S/4.43

Envase tipo carrete

S/4.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.46
4,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,948En existencias

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S/13.46

S/8.73

S/6.15

S/5.03

S/4.73

Envase tipo carrete

S/4.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.58
12,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12,379En existencias

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S/2.58

S/1.62

S/1.08

S/0.916

Envase tipo carrete

S/0.654

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.68
364En existencias
500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

364En existencias

500En pedido

S/44.68

S/24.98

S/24.77

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.12
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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589En existencias

S/32.12

S/25.71

S/21.20

S/18.02

S/16.38

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
7,737En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Hoja de datos

7,737En existencias

1,500En pedido

S/13.16

S/6.75

S/6.11

S/4.99

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.56
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R045C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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284En existencias

S/43.56

S/24.30

S/23.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/42.31
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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297En existencias

S/42.31

S/25.07

S/23.05

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

IPW60R045CPA
Infineon Technologies
1: S/70.18
344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

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344En existencias

S/70.18

S/44.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.30
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R045CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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73En existencias

Cinta cortada

S/39.30

S/27.74

S/23.09

S/20.60

Envase tipo carrete

S/19.26

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPAN60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.84
391En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180CM8XKS

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

391En existencias

S/10.84

S/5.33

S/4.82

S/4.09

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/6.02
1,817En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600CM8XTMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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1,817En existencias

Cinta cortada

S/6.02

S/3.78

S/2.50

S/1.95

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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