Infineon CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.98
625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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625En existencias

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S/28.98

S/20.55

S/18.19

Envase tipo carrete

S/18.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.46
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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739En existencias

Cinta cortada

S/29.46

S/19.31

S/14.19

S/12.64

Envase tipo carrete

S/11.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
4,025En existencias
5,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,025En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/6.97

S/4.43

S/2.94

S/2.30

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R190C6
Infineon Technologies
1: S/15.44
4,419En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6

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4,419En existencias

S/15.44

S/10.06

S/7.87

S/6.58

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R041C6
Infineon Technologies
1: S/60.24
647En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

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647En existencias

S/60.24

S/44.98

S/38.92

S/36.81

S/34.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R075CP
Infineon Technologies
1: S/43.04
271En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R075CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

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271En existencias

S/43.04

S/33.67

S/28.08

S/24.98

S/23.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA17N80C3
Infineon Technologies
1: S/21.03
2,289En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

2,289En existencias

S/21.03

S/13.93

S/11.31

S/9.55

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.63
1,147En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB17N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPB17N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Hoja de datos

1,147En existencias

Cinta cortada

S/17.63

S/12.21

S/9.25

S/8.39

Envase tipo carrete

S/8.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.27
3,468En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD08N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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3,468En existencias

Cinta cortada

S/11.27

S/7.27

S/4.95

S/3.96

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.05
2,040En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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2,040En existencias

S/15.05

S/7.61

S/6.88

S/5.81

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.41
82,661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R360P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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82,661En existencias

Cinta cortada

S/6.41

S/4.04

S/2.68

S/2.09

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.11
14,433En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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14,433En existencias

4,000En pedido

S/21.11

S/11.01

S/10.02

S/9.93

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.73
3,978En existencias
3,998En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,978En existencias

3,998En pedido

Cinta cortada

S/39.73

S/27.22

S/21.24

S/21.03

S/20.64

Envase tipo carrete

S/19.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/79.77
1,534En existencias
950En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,534En existencias

950En pedido

S/79.77

S/52.46

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.53
2,720En existencias
960En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,720En existencias

960En pedido

S/50.53

S/38.31

S/31.91

S/28.42

S/26.57

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/11.27
1,185En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180CM8XTMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,185En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/11.27

S/6.36

S/4.56

S/3.81

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ60R017S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.36
319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R017S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R017S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

319En existencias

Cinta cortada

S/65.36

S/53.23

S/44.33

S/39.52

Envase tipo carrete

S/36.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.92
346En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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346En existencias

Más información disponible

S/10.92

S/5.38

S/4.86

S/3.85

S/3.80

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
10,462En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K4C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K4C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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10,462En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.84

S/2.50

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.88
2,836En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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2,836En existencias

Cinta cortada

S/10.88

S/7.01

S/4.82

S/3.92

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.11
2,323En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,323En existencias

1,500En pedido

S/21.11

S/11.01

S/10.02

S/9.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.49
1,042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,042En existencias

Cinta cortada

S/34.49

S/25.24

S/18.53

S/17.63

Envase tipo carrete

S/16.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.31
1,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,680En existencias

Cinta cortada

S/27.31

S/18.28

S/13.16

S/11.70

Envase tipo carrete

S/10.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.42
1,531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,531En existencias

Cinta cortada

S/24.42

S/15.91

S/12.47

S/10.45

Envase tipo carrete

S/9.68

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.72
1,940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,940En existencias

Cinta cortada

S/28.72

S/18.83

S/13.85

S/12.69

Envase tipo carrete

S/10.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

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