Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET SMART LOW SIDE
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BTS3205GXUMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-BTS3205GXUMA1
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET SMART LOW SIDE
8,559 En existencias
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1
S/5.38
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HIC-PROFET
BTS500601TEAAUMA2
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N.º de artículo de Mouser 726-BTS500601TEAAUMA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HIC-PROFET
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Smart High-Side PWR Switch PROFET 1-CH
BTS50080-1TEA
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1:
S/23.01
3,761 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BTS500801TEA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Smart High-Side PWR Switch PROFET 1-CH
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S/15.22
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S/8.13
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S/8.60
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
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BTS5010-1EKB
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S/16.81
2,357 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BTS5010-1EKB
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
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S/16.81
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S/10.15
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S/5.93
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET Smart High Side Switch 28V 20A
BTS5090-1EJA
Infineon Technologies
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S/10.62
14,545 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BTS5090-1EJA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET Smart High Side Switch 28V 20A
14,545 En existencias
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1
S/10.62
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S/6.06
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S/3.15
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S/4.34
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S/3.46
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Smart High Side PROFET Quad
BTS716G
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53,750 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BTS716G
N.º de artículo de Mouser 726-BTS716G
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Smart High Side PROFET Quad
53,750 En existencias
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1
S/28.85
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S/19.82
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S/18.49
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S/11.65
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S/13.85
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Módulos MOSFET EASY
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Infineon Technologies
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S/573.36
18 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-F3L11MR12W2M1B74
Infineon Technologies
Módulos MOSFET EASY
18 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC100N04S6N028ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.41
6,768 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N04S6N028
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
6,768 En existencias
1
S/6.41
10
S/4.05
100
S/2.69
500
S/2.11
5,000
S/1.54
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S/1.84
2,500
S/1.79
10,000
S/1.50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6L009ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.47
5,096 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N04S6L009
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
5,096 En existencias
1
S/12.47
10
S/7.74
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S/5.68
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S/4.60
5,000
S/3.63
10,000
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S/4.18
10,000
S/3.38
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Detalles
Conversores CA/DC SMPS Current Cntrl w/ Integrated 800V
ICE3BR2280JZ
Infineon Technologies
1:
S/13.24
1,948 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ICE3BR2280JZ
Infineon Technologies
Conversores CA/DC SMPS Current Cntrl w/ Integrated 800V
1,948 En existencias
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1
S/13.24
10
S/8.64
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S/7.91
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S/6.79
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S/6.41
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S/5.59
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S/4.77
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S/4.29
4,000
S/4.28
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Conversores CA/DC OFF-LINE SMPS CRRNT MODE CONTROLLER
ICE3BS03LJGXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.86
4,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ICE3BS03LJGXUMA1
Infineon Technologies
Conversores CA/DC OFF-LINE SMPS CRRNT MODE CONTROLLER
4,368 En existencias
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1
S/4.86
10
S/3.50
25
S/3.16
100
S/2.79
250
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2,500
S/2.12
250
S/2.61
500
S/2.50
1,000
S/2.41
2,500
S/2.12
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Detalles
Conversores CA/DC .DP LITE COOLSET
ICE5QR1680AGXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.36
1,701 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ICE5QR1680AGXUMA
Infineon Technologies
Conversores CA/DC .DP LITE COOLSET
1,701 En existencias
1
S/10.36
10
S/7.70
25
S/7.05
100
S/6.28
2,500
S/5.12
5,000
Ver
250
S/5.93
500
S/5.72
1,000
S/5.16
5,000
S/5.03
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Carrete :2,500
Detalles
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IKZA50N65SS5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/47.04
709 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IKZA50N65SS5XKSA
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
709 En existencias
1
S/47.04
10
S/29.07
100
S/25.03
480
S/23.31
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IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IKZA75N65SS5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/55.69
376 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IKZA75N65SS5XKSA
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
376 En existencias
1
S/55.69
10
S/33.67
100
S/28.85
480
S/27.69
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
IPB60R099CPA
Infineon Technologies
1:
S/32.72
3,198 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099CPA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
3,198 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.40
8,720 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8,720 En existencias
1
S/7.40
10
S/4.69
100
S/3.11
500
S/2.45
2,500
S/1.80
5,000
Ver
1,000
S/2.23
5,000
S/1.67
10,000
S/1.60
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Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.71
1,482 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R190G7XTM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,482 En existencias
1
S/14.71
10
S/8.86
100
S/6.67
500
S/5.72
1,000
S/5.38
1,700
S/4.43
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,700
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.20
5,894 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
5,894 En existencias
1
S/17.20
10
S/11.83
100
S/9.16
500
S/8.17
3,000
S/7.18
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.40
3,881 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
3,881 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.40
10
S/8.64
100
S/7.10
500
S/6.54
1,000
Ver
3,000
S/5.46
1,000
S/6.28
3,000
S/5.46
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.02
12,074 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R360P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12,074 En existencias
1
S/6.02
10
S/3.49
100
S/2.49
500
S/1.93
3,000
S/1.37
6,000
Ver
1,000
S/1.75
6,000
S/1.27
9,000
S/1.25
24,000
S/1.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1:
S/22.58
996 En existencias
1,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IPP041N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
996 En existencias
1,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/22.58
10
S/15.01
100
S/12.17
500
S/10.75
1,000
Ver
1,000
S/9.55
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/16.64
1,699 En existencias
2,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IPP075N15N3GXKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
1,699 En existencias
2,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/16.64
10
S/6.71
100
S/6.28
500
S/6.02
1,000
S/5.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
IPP147N12N3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.30
2,719 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP147N12N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
2,719 En existencias
1
S/8.30
10
S/4.00
100
S/3.58
500
S/2.73
1,000
Ver
1,000
S/2.48
5,000
S/2.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
+1 imagen
IPW65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/33.37
1,320 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R075CFD7AXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
1,320 En existencias
1
S/33.37
10
S/19.48
100
S/16.43
480
S/15.61
1,200
Ver
1,200
S/15.39
2,640
S/14.84
10,080
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.58
4,073 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,073 En existencias
1
S/14.58
10
S/9.50
100
S/6.71
500
S/5.76
1,000
S/5.33
5,000
S/4.64
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
