Infineon CoolMOS – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

IPW50R250CP
Infineon Technologies
1: S/15.78
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW50R250CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

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167En existencias

S/15.78

S/10.32

S/8.08

S/6.71

S/5.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2

IPB65R150CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.66
600En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R150CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDAATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2

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600En existencias

Cinta cortada

S/22.66

S/15.05

S/10.75

S/9.76

Envase tipo carrete

S/9.12

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.17
2,578En existencias
2,500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,578En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/4.17

S/3.29

S/2.18

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.23

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3
Infineon Technologies
1: S/41.88
188En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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188En existencias

S/41.88

S/31.78

S/26.49

S/23.56

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.51
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-B65R190CFD7AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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839En existencias

Cinta cortada

S/16.51

S/10.84

S/7.61

S/6.75

Envase tipo carrete

S/5.81

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.47
204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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204En existencias

S/32.47

S/17.85

S/16.38

S/14.45

Presupuesto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: S/47.60
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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180En existencias

S/47.60

S/34.66

S/28.85

S/25.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.59
474En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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474En existencias

S/25.59

S/13.55

S/12.38

S/10.32

Presupuesto

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
3,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R450P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R450P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,967En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.99

S/2.33

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.34

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MouseReel Disponible

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: S/100.79
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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93En existencias

S/100.79

S/75.25

S/65.10

S/65.06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.08
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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862En existencias

S/12.08

S/6.02

S/5.42

S/3.90

S/3.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.38
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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921En existencias

S/12.38

S/6.15

S/5.55

S/5.03

S/3.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.53
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,699En existencias

S/7.53

S/3.67

S/3.19

S/2.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.25
2,100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/9.25

S/5.89

S/3.93

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.23

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R190CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.01
551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R190CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R190CFD7AA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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551En existencias

S/15.01

S/7.70

S/6.97

S/5.89

S/5.38

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R190C6
Infineon Technologies
1: S/16.60
898En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

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898En existencias

Cinta cortada

S/16.60

S/10.84

S/8.30

S/7.14

Envase tipo carrete

S/6.02

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.51
420En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N65C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N65C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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420En existencias

S/20.51

S/10.66

S/9.72

S/8.00

S/7.70

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.87
2,125En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD03N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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2,125En existencias

Cinta cortada

S/7.87

S/3.48

S/2.64

S/2.32

Envase tipo carrete

S/2.08

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R065S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.65
406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R065S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R065S7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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406En existencias

S/23.65

S/12.47

S/11.35

S/9.42

S/9.29

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6
Infineon Technologies
1: S/20.17
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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500En existencias

S/20.17

S/13.33

S/10.45

S/8.86

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.95
385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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385En existencias

S/23.95

S/12.64

S/12.08

S/9.55

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.63
984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

984En existencias

S/13.63

S/6.84

S/6.19

S/5.07

S/4.39

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.83
571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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571En existencias

Cinta cortada

S/22.83

S/15.18

S/10.88

S/10.45

Envase tipo carrete

S/8.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.65
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R190CFD7A1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

860En existencias

Cinta cortada

S/19.65

S/12.26

S/9.59

S/8.00

Envase tipo carrete

S/6.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.01
3,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,364En existencias

Cinta cortada

S/15.01

S/8.86

S/6.62

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

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