IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IKZA75N65SS5XKSA1
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IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
IPB60R099CPA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R190G7XTMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R105P7AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPL60R180P6AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R360P7SATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12,074 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
IPP041N12N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
996 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP075N15N3GXKSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPP075N15N3GXKSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
IPP147N12N3 G
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N.º de artículo de Mouser 726-IPP147N12N3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPW65R075CFD7AXKSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R075CFD7AXK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
1,320 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,073 En existencias
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S/14.58
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S/5.33
5,000
S/5.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
ISC012N04NM6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
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500
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S/3.34
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S/3.58
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S/3.52
5,000
S/3.34
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
ISC017N04NM5ATMA1
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S/9.42
5,485 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC017N04NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
5,485 En existencias
1
S/9.42
10
S/6.02
100
S/4.24
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S/3.38
1,000
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S/2.57
1,000
S/3.16
2,500
S/2.75
5,000
S/2.57
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
ISC036N04NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.89
5,647 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC036N04NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
5,647 En existencias
1
S/5.89
10
S/3.71
100
S/2.46
500
S/1.93
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S/1.54
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S/1.65
2,500
S/1.60
5,000
S/1.54
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPT014N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.71
5,356 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-PT014N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
5,356 En existencias
1
S/25.71
10
S/17.24
100
S/12.43
500
S/12.26
1,000
S/11.57
2,000
S/11.44
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SCR STD THYR/DIODEN DISC
T1700N16H75VTXPSA1
Infineon Technologies
1:
S/1,239.09
11 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-T1700N16H75VTXPS
Infineon Technologies
SCR STD THYR/DIODEN DISC
11 En existencias
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Reguladores de voltaje de conmutación IFX POL
TDA38827AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.68
4,614 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TDA38827AUMA1
Infineon Technologies
Reguladores de voltaje de conmutación IFX POL
4,614 En existencias
1
S/20.68
10
S/14.49
25
S/13.24
100
S/11.57
250
Ver
5,000
S/8.39
250
S/10.97
500
S/10.23
1,000
S/8.90
2,500
S/8.60
5,000
S/8.39
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Receptor de RF Db-Config Recvr Digi Baseband Processing
TDA5235XUMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.26
1,370 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TDA5235XUMA1
Infineon Technologies
Receptor de RF Db-Config Recvr Digi Baseband Processing
1,370 En existencias
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1
S/19.26
10
S/16.68
25
S/15.74
100
S/14.53
250
Ver
3,000
S/11.18
250
S/13.76
500
S/13.24
1,000
S/11.18
3,000
S/11.18
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Detalles
IC de controladores de iluminación LED LITIX
+1 imagen
TLD21313EPXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.59
6,883 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TLD21313EPXUMA1
Infineon Technologies
IC de controladores de iluminación LED LITIX
6,883 En existencias
1
S/5.59
10
S/4.04
25
S/3.65
100
S/3.23
250
Ver
3,000
S/2.46
250
S/3.02
500
S/2.90
1,000
S/2.80
3,000
S/2.46
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Detalles
IC de controladores de iluminación LED LITIX
TLD5190QVXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.22
1,430 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TLD5190QVXUMA1
Infineon Technologies
IC de controladores de iluminación LED LITIX
1,430 En existencias
1
S/11.22
10
S/8.34
25
S/7.48
100
S/6.84
2,500
S/5.81
5,000
Ver
250
S/6.45
500
S/6.19
1,000
S/5.89
5,000
S/5.63
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa SPEED SENS
TLE4941PLUSCXAMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.11
2,627 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TLE4941PLUSCXAMA
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa SPEED SENS
2,627 En existencias
1
S/6.11
5
S/5.63
10
S/5.20
50
S/5.07
1,500
S/3.86
4,500
Ver
100
S/4.90
500
S/4.43
1,000
S/4.02
4,500
S/3.84
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa SPEED SENS
TLE49595USPHALA1
Infineon Technologies
1:
S/10.58
1,269 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TLE49595USPHALA1
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa SPEED SENS
1,269 En existencias
1
S/10.58
5
S/9.42
10
S/8.47
50
S/8.13
2,000
S/6.67
4,000
Ver
100
S/7.78
500
S/7.22
1,000
S/6.92
4,000
S/6.45
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa HALL SENSOR 4.5-5.5V PWM OPEN DRAIN
TLE4998P3
Infineon Technologies
1:
S/20.43
1,996 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TLE4998P3
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa HALL SENSOR 4.5-5.5V PWM OPEN DRAIN
1,996 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/20.43
5
S/17.20
10
S/16.00
50
S/13.50
100
Ver
2,000
S/8.43
100
S/12.56
500
S/10.58
1,000
S/9.93
2,000
S/8.43
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa HALL SENSOR 4.5-5.5V SENT OPEN DRAIN
TLE4998S3
Infineon Technologies
1:
S/17.46
2,123 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TLE4998S3
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa HALL SENSOR 4.5-5.5V SENT OPEN DRAIN
2,123 En existencias
1
S/17.46
5
S/15.09
10
S/13.89
50
S/12.38
2,000
S/9.03
4,000
Ver
100
S/11.70
500
S/10.28
1,000
S/9.85
4,000
S/8.99
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
