Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET +12V Smart Hi Side Pwr SW Dual
BTS5030-2EKA
Infineon Technologies
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET +12V Smart Hi Side Pwr SW Dual
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET Smart High Side Switch 28V 20A
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BTS50901EJAXUMA1
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET +12V Smart Hi Side Pwr SW Dual
BTS5180-2EKA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET +12V Smart Hi Side Pwr SW Dual
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Smart High Side High Current PROFET
BTS6143DXT
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Smart High Side High Current PROFET
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
1ED3250MC12HXUMA1
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
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S/5.81
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Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
FF450R12ME7B11BPSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-FF450R12ME7B11BP
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Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
FF600R12ME4WB73BPSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-FF600R12ME4WB73B
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
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Módulos IGBT 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
FS75R12KE3B9BPSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-FS75R12KE3B9BPS1
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Módulos IGBT 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUA180N04S5N012AUMA1
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S/10.71
2,522 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUA180N04S5N012
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
2,522 En existencias
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S/10.71
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S/5.68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6N010ATMA1
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S/11.52
2,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N04S6N010
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
2,235 En existencias
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S/11.52
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S/7.48
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S/5.12
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S/4.14
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUC120N06S5N017ATMA1
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S/13.37
3,859 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5N017
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
3,859 En existencias
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S/13.37
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S/8.64
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S/6.02
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S/5.07
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S/4.73
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S/4.73
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT200N08S5N023ATMA1
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S/18.10
6,045 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUT200N08S5N023
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6,045 En existencias
1
S/18.10
10
S/11.83
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S/8.82
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S/7.22
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S/6.71
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Controladores de conmutación COOLSET
ICE5GR2280AGXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.36
4,385 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ICE5GR2280AGXUM1
Infineon Technologies
Controladores de conmutación COOLSET
4,385 En existencias
1
S/6.36
10
S/5.33
25
S/5.16
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S/4.90
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S/3.79
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S/4.82
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S/4.56
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S/4.11
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S/3.79
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Conversores CA/DC .DP LITE COOLSET
ICE5QR0680AGXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.79
2,114 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ICE5QR0680AGXUM
Infineon Technologies
Conversores CA/DC .DP LITE COOLSET
2,114 En existencias
1
S/14.79
10
S/11.01
25
S/10.06
100
S/8.77
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S/6.45
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S/8.34
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S/7.74
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S/6.71
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S/6.32
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH04G65C5XKSA2
Infineon Technologies
1:
S/9.68
2,478 En existencias
900 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IDH04G65C5XKSA2
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
2,478 En existencias
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1
S/9.68
10
S/4.15
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S/3.80
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S/3.13
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IGBTs IGBT PRODUCTS
IKZ75N65EL5XKSA1
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1:
S/34.10
1,125 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IKZ75N65EL5XKSA1
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IGBTs IGBT PRODUCTS
1,125 En existencias
1
S/34.10
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S/20.51
100
S/17.37
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/43.69
329 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R060M1HXT
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
329 En existencias
1
S/43.69
10
S/30.83
100
S/25.71
500
S/22.92
1,000
S/21.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.89
9,700 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPC70N04S5L4R2AT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)
9,700 En existencias
1
S/5.89
10
S/3.70
100
S/2.45
500
S/1.91
1,000
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5,000
S/1.53
1,000
S/1.63
2,500
S/1.60
5,000
S/1.53
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE
IPD80R2K7C3AATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.34
5,278 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K7C3AATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE
5,278 En existencias
1
S/8.34
10
S/5.33
100
S/3.59
500
S/2.89
1,000
S/2.61
2,500
S/2.49
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
1:
S/7.35
2,971 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
2,971 En existencias
1
S/7.35
10
S/4.73
100
S/3.13
500
S/2.46
1,000
Ver
5,000
S/2.08
1,000
S/2.23
2,500
S/2.11
5,000
S/2.08
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/24.64
2,989 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R095CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,989 En existencias
1
S/24.64
10
S/16.13
100
S/11.91
500
S/10.58
1,000
S/10.02
3,000
S/9.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/28.81
918 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
918 En existencias
1
S/28.81
10
S/18.88
100
S/13.93
500
S/12.34
1,000
S/10.92
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.94
1,127 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,127 En existencias
1
S/20.94
10
S/13.89
100
S/9.89
500
S/9.29
1,000
S/8.77
2,000
S/8.73
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/30.96
2,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R075CFD7XTM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,000 En existencias
1
S/30.96
10
S/20.55
100
S/16.64
500
S/14.79
1,000
S/13.12
2,000
S/13.12
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Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/57.58
408 En existencias
240 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
408 En existencias
240 En pedido
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