Controladores de puertas DRIVER-IC
1ED020I12FA2
Infineon Technologies
1:
S/41.37
3,602 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-1ED020I12FA2
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas DRIVER-IC
3,602 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/41.37
10
S/31.00
25
S/29.58
100
S/25.67
1,000
S/19.69
2,000
Ver
250
S/24.51
500
S/22.36
2,000
S/19.18
5,000
Presupuesto
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDDD10G65C6XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.94
8,445 En existencias
3,400 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IDDD10G65C6XTMA1
NRND
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
8,445 En existencias
3,400 En pedido
1
S/12.94
10
S/9.63
100
S/7.87
1,700
S/7.87
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Carrete :1,700
Detalles
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/119.33
781 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-W120R060M1HXKSA1
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
781 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC016N06NSTATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.64
13,546 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC016N06NSTATM1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
13,546 En existencias
1
S/16.64
10
S/10.92
100
S/7.65
500
S/6.84
1,000
Ver
5,000
S/6.36
1,000
S/6.75
2,500
S/6.71
5,000
S/6.36
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1:
S/5.89
122,457 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC054N04NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
122,457 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.89
10
S/3.66
100
S/2.38
500
S/1.84
1,000
Ver
5,000
S/1.33
1,000
S/1.66
2,500
S/1.57
5,000
S/1.33
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Detalles
Módulos de semiconductores discretos HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
FS03MR12A6MA1BBPSA1
Infineon Technologies
1:
S/8,617.11
19 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-FS03MR12A6MA1BBP
NRND
Infineon Technologies
Módulos de semiconductores discretos HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
19 En existencias
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+4 imágenes
IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/34.14
3,984 En existencias
2,000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
3,984 En existencias
2,000 En pedido
1
S/34.14
10
S/27.35
100
S/22.10
500
S/19.65
1,000
S/17.42
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Detalles
Controladores de puertas HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns
IR2109SPBF
Infineon Technologies
1:
S/11.05
13,200 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 942-IR2109SPBF
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns
13,200 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.05
10
S/8.21
25
S/6.75
500
S/6.36
1,000
Ver
1,000
S/5.50
2,500
S/5.03
3,800
S/4.86
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Detalles
Controladores de puertas Ballast Cntrl Prog Preht Tm & Run Freq
+3 imágenes
IR2156STRPBF
Infineon Technologies
1:
S/10.23
17,369 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 942-IR2156STRPBF
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas Ballast Cntrl Prog Preht Tm & Run Freq
17,369 En existencias
1
S/10.23
10
S/7.61
25
S/6.92
100
S/6.19
2,500
S/4.69
5,000
Ver
250
S/5.85
500
S/5.63
1,000
S/5.07
5,000
S/4.60
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Carrete :2,500
Detalles
Controladores de puertas HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns
IRS2103SPBF
Infineon Technologies
1:
S/9.33
14,450 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 942-IRS2103SPBF
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns
14,450 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.33
10
S/6.88
25
S/5.63
100
S/5.38
250
Ver
250
S/5.16
500
S/4.86
1,000
S/4.47
2,500
S/4.28
3,800
S/4.21
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.33
53,840 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC054N04NSGATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
53,840 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.33
10
S/3.34
100
S/2.20
500
S/1.71
1,000
S/1.42
5,000
S/1.33
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V
FS50R06W1E3_B11
Infineon Technologies
1:
S/140.70
254 En existencias
N.º de artículo de Mouser 641-FS50R06W1E3_B11
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V
254 En existencias
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Detalles
Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A
IFS100B12N3E4_B31
Infineon Technologies
1:
S/442.04
45 En existencias
N.º de artículo de Mouser 641-IFS100B12N3E4B31
Infineon Technologies
Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A
45 En existencias
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Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
BGSA144ML10E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/2.84
5,759 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BGSA144ML10E6327
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
5,759 En existencias
1
S/2.84
10
S/2.01
25
S/1.78
100
S/1.57
250
Ver
7,500
S/1.24
250
S/1.46
500
S/1.40
1,000
S/1.34
2,500
S/1.29
5,000
S/1.24
7,500
S/1.24
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :7,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.30
4,117 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,117 En existencias
1
S/8.30
10
S/4.52
100
S/3.48
500
S/2.84
1,000
Ver
5,000
S/2.48
1,000
S/2.60
2,500
S/2.48
5,000
S/2.48
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)
BSO613SPVGXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.71
11,833 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSO613SPVGXUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)
11,833 En existencias
1
S/6.71
10
S/4.24
100
S/2.83
500
S/2.22
1,000
S/2.02
2,500
S/1.83
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
+2 imágenes
BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/4.26
38,727 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSP316PH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
38,727 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.26
10
S/2.63
100
S/1.76
500
S/1.36
1,000
S/0.993
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 3A
+2 imágenes
BTS3134N
Infineon Technologies
1:
S/12.73
24,688 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BTS3134N
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 3A
24,688 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.73
10
S/8.26
25
S/7.48
100
S/6.32
250
Ver
4,000
S/3.99
250
S/5.93
500
S/5.20
1,000
S/4.43
2,000
S/4.09
4,000
S/3.99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 1.3A
BTS3410G
Infineon Technologies
1:
S/12.26
13,366 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BTS3410G
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 1.3A
13,366 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.26
10
S/7.96
25
S/7.18
100
S/6.06
2,500
S/3.94
5,000
Ver
250
S/5.68
500
S/4.99
1,000
S/4.27
5,000
S/3.85
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART HI SIDE PWR SWITCH 2 CHANNELS
BTS5210G
Infineon Technologies
1:
S/15.78
21,965 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BTS5210G
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART HI SIDE PWR SWITCH 2 CHANNELS
21,965 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.78
10
S/10.71
25
S/9.89
100
S/8.60
2,500
S/5.46
5,000
Ver
250
S/8.08
500
S/7.05
1,000
S/5.89
5,000
S/5.38
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
FF600R12KE4PBOSA1
Infineon Technologies
1:
S/901.37
65 En existencias
80 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-FF600R12KE4PBOSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
65 En existencias
80 En pedido
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
FS100R12W2T7BOMA1
Infineon Technologies
1:
S/278.30
156 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-FS100R12W2T7BOMA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
156 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.64
5,482 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB017N06N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
5,482 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2
IPB17N25S3100ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.24
1,585 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB17N25S3100ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2
1,585 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.24
10
S/8.60
100
S/5.98
500
S/5.03
1,000
S/4.69
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1:
S/17.50
976 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
976 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/17.50
10
S/11.48
100
S/8.64
500
S/7.65
1,000
S/6.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
