Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
FF200R17KE4
Infineon Technologies
1:
S/592.11
30 En existencias
N.º de artículo de Mouser
641-FF200R17KE4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
30 En existencias
1
S/592.11
10
S/492.52
100
S/448.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/10.49
5,568 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
5,568 En existencias
1
S/10.49
10
S/6.71
100
S/4.56
500
S/3.80
1,000
S/3.52
5,000
S/3.29
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Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
360°
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DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Infineon Technologies
1:
S/492.74
24 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-DF8MR12W1M1HFB67
Infineon Technologies
Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
24 En existencias
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1ED020I12-B2
Infineon Technologies
1:
S/29.46
5,194 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
641-1ED020I12-B2
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
5,194 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/29.46
10
S/20.25
25
S/18.88
100
S/16.60
1,000
S/11.87
2,000
Ver
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S/15.74
500
S/14.10
2,000
S/11.44
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F-RAM FRAM
CY15B201QN-50SXE
Infineon Technologies
1:
S/55.08
557 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-CY15B201QN-50SXE
Infineon Technologies
F-RAM FRAM
557 En existencias
1
S/55.08
10
S/51.17
25
S/49.58
50
S/48.42
100
Ver
100
S/47.21
250
S/43.56
470
S/42.70
940
S/42.05
2,820
Presupuesto
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Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
BGSA147ML10E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/2.58
5,687 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BGSA147ML10E6327
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
5,687 En existencias
1
S/2.58
10
S/2.21
25
S/2.08
100
S/1.90
250
Ver
7,500
S/1.18
250
S/1.80
500
S/1.72
1,000
S/1.54
2,500
S/1.32
5,000
S/1.18
7,500
S/1.18
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7,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/13.89
10,931 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
10,931 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.89
10
S/9.03
100
S/6.62
500
S/5.55
1,000
S/4.82
5,000
S/4.82
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5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.92
11,030 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
11,030 En existencias
1
S/10.92
10
S/7.18
100
S/4.82
500
S/3.86
1,000
Ver
5,000
S/3.58
1,000
S/3.83
2,500
S/3.77
5,000
S/3.58
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5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/3.87
11,377 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSL211SPH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
11,377 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.87
10
S/2.35
100
S/1.57
500
S/1.20
1,000
S/1.08
3,000
S/0.851
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3,000
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 200mOhms
BTS4880R
Infineon Technologies
1:
S/52.89
2,307 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BTS4880R
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 200mOhms
2,307 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/52.89
10
S/43.00
25
S/41.02
100
S/35.60
250
Ver
800
S/27.09
250
S/34.01
500
S/31.00
800
S/27.09
2,400
Presupuesto
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800
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Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
S/620.19
25 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-F3L8MR12W2M1HPB1
Infineon Technologies
Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
25 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB010N06N
Infineon Technologies
1:
S/25.33
2,566 En existencias
997 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
2,566 En existencias
997 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/25.33
10
S/19.18
100
S/15.52
500
S/13.85
1,000
S/12.17
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1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
1:
S/27.09
1,198 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,198 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/27.09
10
S/20.77
100
S/16.81
500
S/14.92
1,000
S/13.20
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1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2
IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/15.57
2,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N06S403ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2
2,000 En existencias
1
S/15.57
10
S/10.19
100
S/7.10
500
S/6.19
1,000
S/5.59
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1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.37
2,702 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,702 En existencias
1
S/9.37
10
S/5.12
1,000
S/5.12
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1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2
IPB64N25S320ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/31.22
1,063 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB64N25S320ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2
1,063 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/31.22
10
S/16.47
100
S/14.84
1,000
S/14.84
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Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/25.59
1,097 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,097 En existencias
1
S/25.59
10
S/17.16
100
S/12.34
500
S/12.17
1,000
S/11.40
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Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06N
Infineon Technologies
1:
S/13.29
13,664 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
13,664 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.29
10
S/8.60
100
S/6.32
500
S/5.33
1,000
S/4.73
2,500
S/4.60
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Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD30N06S223ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/6.97
14,366 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S223ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
14,366 En existencias
1
S/6.97
10
S/4.64
100
S/3.20
500
S/2.53
1,000
S/2.31
2,500
S/2.15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.91
4,517 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,517 En existencias
1
S/7.91
10
S/5.07
100
S/3.39
500
S/2.68
1,000
S/2.46
2,500
S/2.30
Comprar
Min.: 1
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Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPD90N10S4L-06
Infineon Technologies
1:
S/12.38
3,835 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N10S4L-06
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
3,835 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.38
10
S/8.00
100
S/5.72
500
S/4.77
1,000
S/4.13
2,500
S/4.13
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
SPD08P06PGXT
Infineon Technologies
1:
S/5.20
20,817 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-SPD08P06PGXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
20,817 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.20
10
S/3.24
100
S/2.12
500
S/1.64
2,500
S/1.35
5,000
Ver
1,000
S/1.49
5,000
S/1.23
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
TLE4254EJSXUMA2
Infineon Technologies
1:
S/6.11
12,026 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE4254EJSXUMA2
Infineon Technologies
Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
12,026 En existencias
1
S/6.11
10
S/4.47
25
S/4.03
100
S/3.57
2,500
S/2.85
5,000
Ver
250
S/3.35
500
S/3.22
1,000
S/3.11
5,000
S/2.73
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
TLE42664GHTMA2
Infineon Technologies
1:
S/7.74
5,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE42664GHTMA2
Infineon Technologies
Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
5,368 En existencias
1
S/7.74
10
S/5.68
25
S/5.16
100
S/4.60
250
Ver
4,000
S/3.44
250
S/4.34
500
S/4.14
1,000
S/3.87
2,000
S/3.53
4,000
S/3.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Reguladores de tensión LDO LINEAR VOLTAGE REGULATOR
TLS202B1MBV50HTSA1
Infineon Technologies
1:
S/4.60
2,978 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLS202B1MBV50HTS
Infineon Technologies
Reguladores de tensión LDO LINEAR VOLTAGE REGULATOR
2,978 En existencias
1
S/4.60
10
S/3.29
25
S/2.97
100
S/2.61
3,000
S/2.10
6,000
Ver
250
S/2.45
500
S/2.34
1,000
S/2.25
6,000
S/1.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles